[发明专利]抗静电有机硅离型膜

权利要求书

1.一种抗静电有机硅离型膜，包括：

基底膜；和

至少设置在所述基底膜的一个表面上的抗静电有机硅离型组合物的固化层，

其中所述固化层包括抗静电区域和有机硅离型区域，在所述抗静电区域中表现出有机硅离型特性的硅离子与表现出抗静电特性的硫化物离子之间的强度比(Si^-/S^-)小于1，在所述有机硅离型区域中所述强度比大于10，

其中所述固化层的所述强度比(Si^-/S^-)在距与所述基底膜的边界最远的最上部处为10至10000，并且在为所述基底膜的所述边界的最下部处为0.001至1，以及

其中所述抗静电区域与所述有机硅离型区域之间的厚度比满足下式1，

(式1)

1/10AV/RV1/3，

其中，AV表示所述抗静电区域的厚度，以及RV表示所述有机硅离型区域的厚度。

2.根据权利要求1所述的抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电有机硅离型组合物包含烯基聚硅氧烷、氢聚硅氧烷、导电聚合物树脂、粘结剂化合物和螯合的铂催化剂。

3.根据权利要求2所述的抗静电有机硅离型膜，其中基于100重量份的所述烯基聚硅氧烷，所述抗静电有机硅离型组合物包含2.5重量份至7.5重量份的所述氢聚硅氧烷、1重量份至10重量份的所述导电聚合物树脂、5重量份至20重量份的所述粘结剂化合物、和10ppm至1000ppm的所述螯合的铂催化剂。

4.根据权利要求2所述的抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电有机硅离型组合物还包含具有阳离子和阴离子二者的离子型表面活性剂，

其中所述离子型表面活性剂具有选自磺基、磷基或羧基的阴离子基团。

5.根据权利要求4所述的抗静电有机硅离型膜，其中基于100重量份的所述烯基聚硅氧烷，所述离子型表面活性剂以0.01重量份至5重量份的量存在。

6.根据权利要求2所述的抗静电有机硅离型膜，其中所述粘结剂化合物包含硅烷类化合物和非硅烷类多官能化合物。

7.根据权利要求6所述的抗静电有机硅离型膜，其中：

所述硅烷类化合物为环氧-硅烷化合物、氨基-硅烷化合物、乙烯基-硅烷化合物、甲基丙烯酰氧基-硅烷化合物和异氰酸酯-硅烷化合物中的至少一者或更多者；以及

所述非硅烷类多官能化合物为具有环氧官能团的基于环氧的多官能化合物。

8.根据权利要求7所述的抗静电有机硅离型膜，其中所述基于环氧的多官能化合物具有选自氨基、羟基、醛基、酯基、乙烯基、丙烯酰基、酰亚胺基、氰基和异氰酸酯基的一种或更多种官能团，并且在一个分子中具有三个或更多个官能团。

9.根据权利要求6所述的抗静电有机硅离型膜，其中所述非硅烷类多官能化合物与所述硅烷类化合物的重量比为2至20。

10.根据权利要求2所述的抗静电有机硅离型膜，其中所述导电聚合物树脂为平均粒径为10nm至90nm的水性分散体，并且为聚阴离子和聚噻吩的水性分散体、或者聚阴离子和聚噻吩衍生物的水性分散体。

11.根据权利要求1所述的抗静电有机硅离型膜，其中所述抗静电有机硅离型组合物的固含量为0.5重量％至15重量％。

12.根据权利要求1所述的抗静电有机硅离型膜，其中所述基底膜的表面张力是所述固化层的1.0倍至1.5倍。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的抗静电有机硅离型膜，其中所述基底膜的厚度为15μm至300μm，以及所述固化层的厚度为0.01μm至10μm。