[发明专利]包含两种不同类型的氮化硅的集成组合件及形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

位线结构，其沿第一方向延伸；所述位线结构包括导电位线，且包括在所述导电位线上方且沿所述导电位线的侧壁延伸的绝缘壳；所述绝缘壳包括第一氮化硅成分；所述位线结构彼此被中介区域隔开；

半导体结构及绝缘垫片，其在所述中介区域内；所述半导体结构及所述绝缘垫片沿所述第一方向彼此交替；所述绝缘垫片包括第二氮化硅成分，所述第二氮化硅成分的特征为相比于所述第一氮化硅成分具有较快地被包括硫酸及过氧化氢的混合物蚀刻的速率；

存储元件，其与所述半导体结构耦合；

存取晶体管，其通过所述半导体结构与存储元件耦合；及

导电字线，其与所述存取晶体管的栅极耦合；所述存储元件中的每一者是通过所述导电位线中的一者与所述导电字线中的一者的组合唯一地寻址。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述绝缘垫片中的每一者包含所述第二氮化硅成分的第二区域与所述第一氮化硅成分的第一区域的组合。

3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述绝缘垫片的所述第二氮化硅成分被配置为实心芯。

4.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述绝缘垫片的所述第二氮化硅成分被配置为空心环。

5.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第一区域至少部分地围绕所述第二区域延伸。

6.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第二区域至少部分地围绕所述第一区域延伸。

7.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第二区域至少部分地围绕所述第一区域延伸；且其中所述绝缘垫片中的每一者包含所述第一氮化硅成分的至少部分地包围所述第二区域的第三区域。

8.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第二区域完全包围所述第一区域的横向外围。

9.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述第二区域仅部分地包围所述第一区域的横向外围。

10.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一氮化硅成分由氮化硅组成，且其中所述第二氮化硅成分包括硅、氮及硼。

11.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述硼在所述第二氮化硅成分中以从约20原子百分比到约30原子百分比的范围内的浓度存在。

12.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一氮化硅成分相比于所述第二氮化硅成分具有较高密度。

13.根据权利要求12所述的集成组合件，其是由在至少约600℃的温度下沉积所述第一氮化硅成分且在不大于约500℃的温度下沉积所述第二氮化硅成分的工艺形成。

14.一种集成组合件，其包括：

线性结构，其沿第一方向延伸；所述线性结构包括导电线，且包括在所述导电线上方且沿所述导电线的侧壁延伸的绝缘壳；所述绝缘壳包括由硅及氮组成的第一氮化硅成分；所述线性结构彼此被中介区域隔开；及

半导体结构及绝缘垫片，其在所述中介区域内；所述半导体结构及所述绝缘垫片沿所述第一方向彼此交替；所述绝缘垫片包括包含硅、氮及硼的第二氮化硅成分。

15.根据权利要求14所述的集成组合件，其中所述绝缘垫片中的每一者包含所述第二氮化硅成分的第二区域与所述第一氮化硅成分的第一区域的组合。

16.根据权利要求15所述的集成组合件，其中所述第一区域至少部分地围绕所述第二区域延伸。

17.根据权利要求15所述的集成组合件，其中所述第二区域至少部分地围绕所述第一区域延伸。