[发明专利]一种电容反接保护装置、电容设备及其电容反接保护方法在审

专利信息
申请号: 202010014557.6 申请日: 2020-01-07
公开(公告)号: CN111082405A 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 郑培杰;谭章德;张敏;李通;刘旭龙 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02
代理公司: 北京煦润律师事务所 11522 代理人: 朱清娟;梁永芳
地址: 519070*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 反接 保护装置 设备 及其 保护 方法
【权利要求书】:

1.一种电容反接保护装置,其特征在于,包括:引流单元;

引流单元,用于在电容由于极性接反而产生漏电电流的情况下,将电容反接产生的漏电电流引流至设定的安全处。

2.根据权利要求1所述的电容反接保护装置,其特征在于,引流单元,包括:开关管自锁电路和保护电阻;其中,

开关管自锁电路的输入端,连通至电容的第一电极,以对电容反接产生的漏电电流进行引流;

开关管自锁电路的输出端,经保护电阻后,连通至电容的第二电极,并连通至设定的安全处。

3.根据权利要求2所述的电容反接保护装置,其特征在于,开关管自锁电路,包括:第一开关管和第二开关管;其中,

第一开关管的输入端,作为开关管自锁电路的输入端;第一开关管的第一输出端,连通至第二开关管的输入端;第一开关管的第二输出端,作为开关管自锁电路的输出端;

第二开关管的第一输出端,连通至电容的充电电源;第二开关管的第二输出端,经保护电阻后作为开关管自锁电路的输出端。

4.根据权利要求3所述的电容反接保护装置,其特征在于,第一开关管和第二开关管,均为三极管或MOS管;

在第一开关管和第二开关管均为三极管时,第一开关管为NPN型三极管,第二开关管为PNP型三极管;

在第一开关管和第二开关管均为MOS管时,第一开关管为N沟道MOS管,第二开关管为P沟道MOS管。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电容反接保护装置,其特征在于,还包括:采样单元和比较单元;其中,

采样单元,用于采样电容反接时产生的漏电电流;

比较单元,用于将采样到的漏电电流与设定电流进行比较,以在采样到的漏电电流大于设定电流的情况下,输出引流指令;

引流单元,用于在接收到引流指令的情况下,将电容反接产生的漏电电流引流至设定的安全处。

6.根据权利要求5所述的电容反接保护装置,其特征在于,采样单元,包括:霍尔传感器和采样电阻;

比较单元,包括:比较器;

霍尔传感器的输入端,连通至电容的第一电极;

霍尔传感器的第一输出端,经采样电阻后连通至电容的充电电源;

霍尔传感器的第二输出端,连通至比较器的第一输入端;比较器的第二输入端用于输入设定电流,比较器的输出端连通至引流单元的输入端。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的电容反接保护装置,其特征在于,还包括:指示单元;

指示单元,用于对电容反接产生漏电电流的情况进行指示。

8.根据权利要求7所述的电容反接保护装置,其特征在于,指示单元,包括:发光二极管;

发光二极管的阳极,连通至引流单元的输出端。

9.一种电容设备,其特征在于,包括:如权利要求1-8任一所述的电容反接保护装置。

10.一种如权利要求9所述的电容设备的电容反接保护方法,其特征在于,包括:

通过引流单元,在电容由于极性接反而产生漏电电流的情况下,将电容反接产生的漏电电流引流至设定的安全处。

11.根据权利要求10所述的电容反接保护方法,其特征在于,通过引流单元将电容反接产生的漏电电流引流至设定的安全处,包括:

通过采样单元,采样电容反接时产生的漏电电流;

通过比较单元,将采样到的漏电电流与设定电流进行比较,以在采样到的漏电电流大于设定电流的情况下,输出引流指令;

通过引流单元,在接收到引流指令的情况下,将电容反接产生的漏电电流引流至设定的安全处。

12.根据权利要求10或11所述的电容反接保护方法,其特征在于,还包括:

通过指示单元,对电容反接产生漏电电流的情况进行指示。

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