[发明专利]对半导体样本中的缺陷进行分类的方法及其系统

说明书

一种用于对缺陷进行分类的系统、方法和计算机可读介质，所述方法包括：接收经分类的第一缺陷和潜在缺陷，每个第一缺陷和潜在缺陷具有属性值；处理第一缺陷和潜在缺陷以选择将第一缺陷与潜在缺陷区分开的属性的子集；分别基于第一缺陷和潜在缺陷获得第一函数和第二函数；获得用于第一函数的第一阈值，以及用于第一函数和第二函数的组合的第二阈值；分别将第一函数和第二函数应用于每个潜在缺陷以获得第一得分和第二得分；以及确定第一得分和第二得分的组合得分；以及当第一得分低于所述第一阈值或者组合得分超过第二阈值时，将潜在缺陷指示为潜在新类别缺陷。

技术领域

目前公开的主题大致涉及样本检查领域，并且更具体地涉及能够自动检测属于新类别缺陷的方法和系统。

背景技术

当前对与制造器件的超大规模集成相关的高密度和性能的需求，要求亚微米特征、增加的晶体管和升高的电路速度以及改良的可靠性。这些需求要求形成具有高精度和均匀性的器件特征，继而需要对制造过程进行仔细监控，包括在器件仍为半导体样本形式时频繁且详细地检查器件。

在本说明书中使用的术语“样本”应被广义地解释为涵盖用于制造半导体集成电路、磁头、平板显示器和其他半导体制品的任何种类的晶片、掩模以及其他结构、上述的组合和/或部件。

在本说明书中使用的术语“缺陷”应被广义地解释为涵盖在样本上或样本内形成的任何种类的异常或不期望的特征。

样本的复杂制造工艺并非是没有错误的，并且此类错误可能会导致制造的器件出现故障。这些故障可包括可能损害器件操作的缺陷，以及可能是缺陷但不会对制造的器件造成任何损害或使制造的器件失灵的危害。作为非限制性示例，由于原材料中的故障、机械、电气或光学错误、人为错误或其他原因，可能在制造工艺中引起缺陷。此外，缺陷可能是由时空因素引起的，诸如在检查处理中一个或多个制造阶段之后发生的晶片温度变化，所述晶片温度变化可能会导致晶片的一些变形。检查处理还可能例如由于检查设备或工艺中的光学、机械或电气问题而引入其他所谓的错误，这从而提供不完美的获取结果。此类错误可能会产生假阳性结果，所述假阳性结果可能看起来包含缺陷，但在该区域不存在实际缺陷。

在许多应用中，缺陷的类型或类别很重要。例如，缺陷可以被分类为多个类别中的一种类别，诸如颗粒、划痕、处理或类似者。

除非另外特别说明，否则本说明书中使用的术语“检查”应被广义地解释为涵盖对对象中的缺陷进行任何种类的检测和/或分类。在制造待检查对象的工艺之中或之后，通过使用非破坏性检查工具来提供检查。作为非限制性示例，检查工艺可以包括使用一个或多个检查工具针对对象或其部分提供扫描(以单次或多次扫描的形式)、采样、审阅、测量、分类和/或其他操作。同样，检查可以在制造待检查的对象之前提供，并且可以包括例如生成(多个)检查方案。应注意的是，除非另外特别说明，否则本说明书中使用的术语“检查”或其派生词在(多个)检查区域的大小、扫描的速度或分辨率、或检查工具的类型方面不作限制。作为非限制性示例，各种非破坏性检查工具包括光学工具、扫描电子显微镜、原子力显微镜等。

检查工艺可以包括多个检查步骤。在制造工艺中，检查步骤可以执行多次，例如在某些层的制造或加工之后，或类似者。另外地或替代地，每个检查步骤可以重复多次，例如针对不同的样本位置或针对具有不同检查设定的相同样本位置。

作为非限制性示例，运行时检查(run-time examination)可以采用两步程序，例如检视样本，然后审阅被采样的缺陷。在检视步骤期间，通常以相对较高的速度和/或较低的分辨率扫描样本或样本的一部分(例如，感兴趣的区域，热点等)的表面。分析所捕获的检查图像以便检测缺陷并获得缺点位置和其他检视属性。在审阅步骤中，通常以相对较低的速度和/或较高的分辨率捕获在检视阶段检测到的至少一些缺陷的图像，从而使得能够对所述至少一些缺陷进行分类和任选的其他分析。在一些情况下，两个阶段可以通过相同的检视工具来实施，而在一些其他情况中，通过不同的检视工具来实施这两个阶段。

发明内容