[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成隔离层；

在所述隔离层远离所述衬底的一侧形成堆叠结构层，且在所述堆叠结构层中形成包括阻挡层与半导体层的存储结构；其中，所述阻挡层围设在所述半导体层的周边；

刻蚀所述堆叠结构层，以形成贯穿所述堆叠结构层的沟槽；

在所述沟槽的槽壁上形成保护层；

刻蚀所述沟槽底部的保护层，并露出所述隔离层；

刻蚀朝向所述衬底一侧的部分所述存储结构，以暴露出所述半导体层；其中，所述保护层与所述存储结构的层结构相匹配，以使刻蚀部分所述存储结构时，所述沟槽侧壁的保护层用于保护所述堆叠结构层；

沿暴露出的所述半导体层形成第一半导体结构；其中，所述第一半导体结构连接所述半导体层，且至少部分所述隔离层位于所述衬底与所述第一半导体结构之间；

通过所述沟槽将所述堆叠结构层中的导电层置换为栅极层；

其中，在所述“刻蚀朝向所述衬底一侧的部分所述存储结构，以暴露出所述半导体层”之前，所述制备方法还包括：

去除所述隔离层，以暴露出所述衬底；

沿暴露出的所述衬底形成第二半导体结构；其中，所述第二半导体结构连接所述第一半导体结构。

2.如权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述“在所述衬底上形成隔离层”之后，且在所述“在所述隔离层远离所述衬底的一侧形成堆叠结构层”之前，所述制备方法还包括：

在所述隔离层上形成牺牲层；

在所述“刻蚀朝向所述衬底一侧的部分所述存储结构，以暴露出所述半导体层”之前，所述制备方法还包括：

刻蚀所述牺牲层，以暴露出所述存储结构邻近所述衬底的一侧。

3.如权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述“在所述堆叠结构层中形成包括阻挡层与半导体层的存储结构”包括：

刻蚀所述堆叠结构层，以形成贯穿所述堆叠结构层的沟道孔；

沿所述沟道孔的侧壁形成阻挡层；

在所述沟道孔内形成半导体层。

4.如权利要求3所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，在所述“沿暴露出的所述衬底形成第二半导体结构”之后，所述制备方法还包括：

去除所述沟槽侧壁上的保护层。

5.如权利要求3所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述“通过所述沟槽将所述堆叠结构层中的导电层置换为栅极层”在所述“沿暴露出的所述衬底形成第二半导体结构”之后。

6.如权利要求1-5中任一项所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述存储结构包括依次层叠设置的阻挡层、存储层、隧穿层以及半导体层。

7.如权利要求6所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述隔离层的厚度大于所述阻挡层及所述隧穿层的厚度之和。

8.一种三维存储器，其特征在于，包括采用如权利要求1-7中任一项所述三维存储器的制备方法制备。