[发明专利]有机发光二极体显示器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010017210.7 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111192905A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 刘威 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 刁文魁 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光 二极体 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极体显示器件，其特征在于，包括:
基板；
薄膜电晶体阵列基板，设置在所述基板上；
多个阳极，设置在所述薄膜电晶体阵列基板上；
像素限定层，设置在所述薄膜电晶体阵列基板上的所述多个阳极之间且分隔所述多个阳极，所述像素限定层上设置有多个条状凹槽；
发光功能层，覆盖所述多个阳极与所述像素限定层；以及
设置在所述发光功能层上的阴极；
其中，所述发光功能层包含空穴注入层覆盖所述多个阳极与所述像素限定层且所述空穴注入层的厚度小于所述多个条状凹槽的深度。
2.如权利要求1所述的有机发光二极体显示器件，其特征在于，所述条状凹槽的宽度在0.1至30μm之间，深度在10nm至200nm之间。
3.如权利要求1所述的有机发光二极体显示器件，其特征在于，所述基板为刚性基板或柔性基板，刚性基板优选为玻璃，柔性基板优选为聚酰亚胺膜。
4.如权利要求1所述的有机发光二极体显示器件，其特征在于，所述多个条状凹槽至少包含相互垂直的两个凹槽延伸方向，且所述凹槽延伸方向不同的所述条状凹槽不相通。
5.如权利要求1所述的有机发光二极体显示器件，其特征在于，所述条状凹槽的凹槽延伸方向与相邻二所述阳极中点的连线方向垂直。
6.如权利要求1所述的有机发光二极体显示器件，其特征在于，所述条状凹槽的凹槽延伸方向与相邻二阳极中点的连线方向夹角在60至90度之间。
7.如权利要求1所述的有机发光二极体显示器件，其特征在于，所述多个条状凹槽至少包含两个凹槽延伸方向，且所述凹槽延伸方向不同的所述条状凹槽彼此交错。
8.如权利要求1所述的有机发光二极体显示器件，其特征在于，所述发光功能层还包含依次设置在所述空穴注入层上的空穴传输层、发光层、电子传输和电子注入层。
9.一种有机发光二极体显示器件的制造方法，其特征在于，包括:
提供薄膜电晶体阵列基板，且在所述薄膜电晶体阵列基板上形成间隔分布的多个阳极；
在所述薄膜电晶体阵列基板上形成像素限定层，其中，所述像素限定层设置于所述多个阳极之间且分隔所述多个阳极；
在所述像素限定层上方形成多个条状凹槽；
在所述多个阳极与所述像素限定层上设置发光功能层；以及
在所述发光功能层上形成阴极；
其中，所述发光功能层包含空穴注入层覆盖所述多个阳极与所述像素限定层。
10.如权利要求9所述的有机发光二极体显示器件的制造方法，其特征在于，所述空穴注入层的厚度小于所述多个条状凹槽的深度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
