[发明专利]发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202010017212.6 申请日: 2020-01-08
公开(公告)号: CN113097355B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 毕东升;徐胜娟;徐凯;蔡家豪;黄照明;张家豪 申请(专利权)人: 安徽三安光电有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 241000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光二极管 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.发光二极管,至少包括衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层,以及分别与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电性连接的第一电极和第二电极,所述第二电极包括焊盘部和延伸部,其特征在于:所述延伸部末端和第一电极之间具有用于扩展电流的扩展部,所述扩展部与延伸部末端不连接,所述扩展部为以延伸部末端为圆心的弧形,所述扩展部与延伸部末端的距离小于扩展部与第一电极的距离,第二导电型半导体层和第二电极之间还具有透明导电层,且所述扩展部和延伸部位于透明导电层表面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述扩展部的数量为1个以上。

3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:复数个所述扩展部沿着延伸部延伸的方向大致平行设置。

4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于:沿着延伸部延伸的方向,复数个所述扩展部的长度逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述扩展部为单层金属结构或者多层金属结构。

6.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述扩展部的材质选自金、铝、铑、铬、钛、铂中的一种或者几种的组合。

7.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述延伸部末端具有膨大部。

8.根据权利要求7所述的发光二极管,其特征在于:所述膨大部为实心球状。

9.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述第二导电型半导体层和透明导电层之间还具有电流阻挡层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管,其特征在于:所述电流阻挡层与第二电极的形状一致。

11.发光二极管的制作方法,至少包括如下步骤:

步骤1、提供衬底,于所述衬底表面依次沉积第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层;

步骤2、分别制作与所述第一导电型半导体层电性连接的第一电极以及与所述第二导电型半导体层电性连接的第二电极,其中第二电极包括焊盘部和延伸部;

步骤3、于所述延伸部末端和第一电极之间的第二导电型半导体层表面上制作用于扩展电流的扩展部,所述扩展部与延伸部末端不连接,所述扩展部为以延伸部末端为圆心的弧形,所述扩展部与延伸部末端的距离小于扩展部与第一电极的距离;

其中,还包括于第二导电型半导体层和第二电极之间沉积透明导电层,所述扩展部和延伸部沉积于透明导电层的表面。

12.根据权利要求11所述的发光二极管的制作方法,其特征在于:还包括于第二导电型半导体层和透明导电层之间沉积电流阻挡层的步骤,所述电流阻挡层与第二电极形状一致。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司,未经安徽三安光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010017212.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top