[发明专利]一种CdS-Bi2 有效
| 申请号： | 202010017876.2 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111167478B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 陈绪兴;姚慧娟;黄忠兵;高云;苏扬航;韩亚翔 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;B01J37/10;B01D53/86;B01D53/72;A23B7/152 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘潇 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cds bi base sub | ||
1.一种CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结在光催化降解乙烯中的应用，其特征在于，所述CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结对乙烯具有催化活性；
所述CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结的制备方法包括以下步骤：
将钨酸钠、硝酸铋、十六烷基三甲基溴化铵和水混合，进行第一次水热反应，得到Bi2WO6；
将所述Bi2WO6分散于水中，得到Bi2WO6分散液；
将所述Bi2WO6分散液、乙酸镉和硫脲混合，进行第二次水热反应，得到CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结中CdS与Bi2WO6的质量比为（0.1:100）~（50:50）。
3.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结中CdS与Bi2WO6的质量比为（1:100）~（20:100）。
4.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述CdS-Bi2WO6半导体Z型异质结所降解的乙烯浓度为1 ppb~10000 ppm。
5.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述钨酸钠为二水合钨酸钠，所述硝酸铋为五水合硝酸铋，所述钨酸钠与硝酸铋的摩尔比为2:1。
6.根据权利要求1或5所述的应用，其特征在于，所述钨酸钠与十六烷基三甲基溴化铵的质量比为0.33:0.05。
7.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述第一次水热反应的温度为120℃，时间为24h。
8.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述第二次水热反应的温度为80℃，时间为10h。
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