[发明专利]一种锁频注入的微波源在审
申请号: | 202010019279.3 | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN111769020A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 杨阳;黄卡玛;朱铧丞;陈星;刘长军 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | H01J23/14 | 分类号: | H01J23/14;H01J23/16 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 刘静怡 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 注入 微波 | ||
1.一种锁频扫描的微波源,包括磁控管,其特征在于,包括通过环形器连接有外部注入信号。
2.根据权利要求1所述的一种锁频扫描的微波源,其特征在于:提供所述外部注入信号的器件为低功率固态微波源。
3.根据权利要求2所述的一种锁频扫描的微波源,其特征在于:所述低功率固态微波源通过注波互作用调节输出信号的频率和扫频带宽。
4.根据权利要求3所述的一种锁频注入的微波源,其特征在于:所述外部注入信号与磁控管信号的注入比为15%——45%。
5.根据权利要求1——4中任意一项所述一种锁频扫描的微波源,其特征在于:所述低功率固态微波源的扫频信号对磁控管进行注入锁定,使磁控管输出扫频信号。
6.根据权利要求5所述的一种注入锁频的微波源,其特征在于:所述扫频信号达到完全锁定状态:磁控管的瞬态输出频率:
其中,其中式中ω为磁控管的振荡频率,ω0为谐振腔的本振频率,Q0为谐振电路的固有品质因数,Qext为谐振电路外部品质因数,Vdc为磁控管阳极电压,VRF为磁控管高频电压,R为等效电阻,L为等效电感,C为等效电容,g+jb为等效磁控管电源,G+jB为等效负载。
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