[发明专利]一种频率可调的宽带低噪声放大器在审
申请号: | 202010019343.8 | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN111130466A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 夏冬;盖川;蒋一帆 | 申请(专利权)人: | 南京米乐为微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/42 |
代理公司: | 南京泉为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32408 | 代理人: | 许丹丹 |
地址: | 211100 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 频率 可调 宽带 低噪声放大器 | ||
1.一种频率可调的宽带低噪声放大器,其特征在于,包括匹配网络、开关电容阵列选频网络和共源共栅极放大电路,所述共源共栅极放大电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三电容、第三电感、第四电感、第五电感及第四电容;
所述匹配网络的一端连接信号输入端,另一端连接所述第一晶体管的栅极;
所述第二晶体管的栅极连接第三电容后接地,所述第一晶体管的源极连接第三电感后接地,所述第二晶体管的漏极分别第五电感的一端和第四电容的一端连接,第五电感的另一端和第四电容的另一端均接地;
所述第二晶体管的漏极还分别连接了第四电感的一端和开关电容阵列选频网络,所述第四电感的另一端与信号输出端连接;
所述第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极相连。
2.如权利要求1所述的频率可调的宽带低噪声放大器,其特征在于,所述第一晶体管和第二晶体管均采用互补式金属氧化物半导体晶体管。
3.如权利要求1所述的频率可调的宽带低噪声放大器,其特征在于,所述匹配网络包括并联的第一电感和第一电容,以及串联的第二电感和第二电容;
所述第一电感和第一电容的一端均同时与信号输入端、第二电感的一端相连,第一电感和第一电容的另一端均接地;
所述第二电容的一端同时与第二电感的另一端和第一晶体管的栅极相连,第二电容的另一端与第一晶体管的漏极相连。
4.如权利要求1所述的频率可调的宽带低噪声放大器,其特征在于,所述开关电容阵列选频网络包括N个“开关-电容”对,其中N为大于0的自然数;各“开关-电容”对连接与之对应的控制信号,每个“开关-电容”对被分配成非零的偶数个单元电容器元件,用于对称电容器分配。
5.如权利要求1所述的频率可调的宽带低噪声放大器,其特征在于,所述开关电容阵列选频网络包括N个“开关-电容”对,其中N为大于0的自然数;各“开关-电容”对连接与之对应的控制信号,每个“开关-电容”对中包括若干单元电容器元件。
6.如权利要求5所述的频率可调的宽带低噪声放大器,其特征在于,每个“开关-电容”对中包括非零的偶数个结构相同的单元电容器元件。
7.如权利要求4或5所述的频率可调的宽带低噪声放大器,其特征在于,每个“开关-电容”对中的若干单元电容器元件结构相同。
8.如权利要求4或5所述的频率可调的宽带低噪声放大器,其特征在于,所述各单元电容器元件中包括第五电容、第五电阻、第五晶体管和第五反相器;
所述第五电容的一端连接共源共栅极放大电路,另一端连接第五晶体管的漏极;第五晶体管的栅极连接与之对应的控制信号;第五晶体管的源级接地;
所述第五反相器的一端与第五晶体管的栅极连接,另一端与第五电阻的一端连接;第五电阻的另一端与第五晶体管的漏极连接。
9.如权利要求8所述的频率可调的宽带低噪声放大器,其特征在于,各单元电容器元件通过各自的第五电容的一端与共源共栅极放大电路中第二晶体管的漏极相连,实现各单元电容器元件与共源共栅极放大电路的连接。
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