[发明专利]一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构及制备方法

权利要求书

1.一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构的制备方法，其特征在于，所述的发光场效应管结构包括多层，采用顶栅结构，从下至上，第一层为透明玻璃基底；第二层的两侧为分别源极和漏极，中间为发光层；第三层的两侧分别为电子注入层和空穴注入层，中间为发光层；第四层为发光层，与第二层和第三层的发光层为一体结构；第五层为绝缘层；第六层为栅极；

所述的源极材质为铝；所述的栅极和漏极材质为金；所述的发光层的材质为F8BT晶体阵列；所述的电子注入层材质为氧化锌；所述的空穴注入层材质为三氧化钼；所述的绝缘层材质为聚甲基丙烯酸甲酯；

所述的制备方法，步骤如下：

步骤1.将透明玻璃基底依次置于洗洁精、去离子水、甲醇、异丙醇中超声清洗，然后干燥；

步骤2.将掩膜版放置在步骤1得到的透明玻璃基底上，所使用的掩膜版上的图案为梳齿状，镂空条纹的宽度即为源极和漏极的宽度相同，镂空条纹的一端不连通，另一端相连通，连通端向外延展，使连通端的的长度长于最外端的两个梳齿之间的距离，相连通端用于连接各个电极；调整掩膜版的位置，使镂空条纹位于透明玻璃基底的一端；将固定在一起的掩膜版和透明玻璃基底置于蒸发镀膜机中，以0.3-0.5nm/s的速度在透明玻璃基底上沉积厚度为30-50nm铝，作为源极；然后切换蒸发源以0.1-0.3nm/s的速度在源极上沉积厚度为3-5nm氧化锌，作为电子注入层；

步骤3.以掩膜版的连通端向外延展部分的边缘为对称轴，将掩膜版对称翻转180°后再置于透明玻璃基底上，使镂空条纹位于透明玻璃基底的另一端，二者固定后置于蒸发镀膜机中，以0.3-0.5nm/s的速度在透明玻璃基底上沉积厚度为30-50nm金，作为漏极；然后切换蒸发源以0.1-0.3nm/s的速度在漏极上沉积厚度为3-5nm三氧化钼，作为空穴注入层；

步骤4.将掩膜版从步骤3得到的透明玻璃基底从上取出，然后将玻璃基底置于130-140℃的HMDS溶液中进行疏水化处理20-30分钟，然后在处理后的透明玻璃基底上水平放置一个圆柱形玻璃瓶，使圆柱形玻璃瓶的侧壁表面与透明玻璃基底相接触，且圆柱形玻璃瓶位于两电极外侧，以便在两电极之间生长晶体；

步骤5.将F8BT溶于二甲苯和乙酸正丁酯的混合溶液中得到F8BT溶液，其中F8BT的浓度为10-15mg/ml，二甲苯和乙酸正丁酯比例为5:1-20:1；将F8BT溶液滴入玻璃瓶和透明玻璃基底之间的缝隙中，在温度为60-80℃条件下加热蒸干，去掉圆柱形玻璃瓶得到F8BT晶体；其中以获得厚度为70-90nm的发光层；

步骤6.将PMMA溶于乙酸正丁酯中，得到浓度为60-70mg/ml的PMMA溶液，在步骤5得到的F8BT晶体上用匀胶机以4000rpm-5000rpm的速度旋涂一层厚度为600-700nmPMMA透明薄膜，作为绝缘层；

步骤7.将旋涂完绝缘层的透明玻璃基底置于蒸发镀膜机中，在PMMA透明薄膜上以0.1-0.3nm/s的速度蒸镀厚度3-5nm金作为栅极。

2.根据权利要求1所述的一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构的制备方法，其特征在于：

所述的发光层厚度为70-90nm；

所述的绝缘层厚度为600-700nm；

所述的空穴注入层厚度为3-5nm；

所述的电子注入层厚度为3-5nm；

所述的源极和漏极厚度为30-50nm；

所述的栅极厚度为10-16nm；

所述的源极和漏极为叉指状；所述的栅极为片状。

3.根据权利要求1所述的一种基于聚F8BT晶体的发光场效应管结构的制备方法，其特征在于，所述的掩膜版，两镂空条纹之间的未镂空处的宽度为60um，镂空条纹长度为3mm。