[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第三区位于所述第一区和第二区之间，且所述第三区分别与所述第一区和第二区相邻；

位于第一区上的第一鳍部结构，所述第一鳍部结构包括若干平行于衬底表面的第一纳米线，若干所述第一纳米线沿垂直于衬底表面排布，所述第一纳米线内具有第一离子；

位于第二区上的第二鳍部结构，所述第二鳍部结构包括若干平行于衬底表面的第二纳米线，若干所述第二纳米线沿垂直于衬底表面排布，所述第二纳米线内具有第一离子；

位于第三区上的第一掺杂层，所述第一掺杂层分别与所述第一纳米线侧壁和第二纳米线侧壁相接触，所述第一掺杂层内具有第二离子，所述第二离子的导电类型与所述第一离子的导电类型相反；

位于第一区上的源掺杂层，所述源掺杂层与所述第一纳米线的侧壁相接触，且所述源掺杂层与所述第一掺杂层分别位于所述第一纳米线两端；

位于第二区上的漏掺杂层，所述漏掺杂层与所述第二纳米线的侧壁相接触，且所述漏掺杂层与所述第一掺杂层分别位于所述第二纳米线两端；

横跨所述第一鳍部结构的第一栅极结构，所述第一栅极结构环绕若干所述第一纳米线。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二离子包括N型离子或P型离子；所述N型离子包括：磷离子或砷离子；所述P型离子包括：硼离子、硼氟离子或铟离子。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二离子的浓度范围为8E18原子每立方厘米～6E19原子每立方厘米。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂层的材料包括磷硅或硅锗。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源掺杂层内具有第三离子；所述漏掺杂层内具有第三离子。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二离子具有第一浓度，所述第三离子具有第二浓度，所述第一浓度小于所述第二浓度。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于相邻第一纳米线之间和第一纳米线与衬底之间的第一栅极结构侧壁的第一侧墙，所述第一侧墙侧壁表面与所述第一纳米线侧壁表面齐平。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二鳍部结构还包括：位于相邻第二纳米线之间和第二纳米线与衬底之间的第二牺牲层，所述第二牺牲层侧壁具有第二侧墙，所述第二侧墙的侧壁表面与所述第二纳米线侧壁表面齐平。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第二区上的第二伪栅极结构，所述第二伪栅极结构横跨所述第二鳍部结构。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于衬底上的介质层，所述第一栅极结构位于所述介质层内。