[发明专利]改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备有效
申请号: | 202010020311.X | 申请日: | 2020-01-09 |
公开(公告)号: | CN110819961B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 宋维聪;周云;睢智峰 | 申请(专利权)人: | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/50;C23C14/06;C23C14/54 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 薄膜 均匀 物理 沉积 设备 | ||
1.一种改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于,包括:腔体、沉积源装置及加热装置;所述沉积源装置位于所述腔体上部,所述加热装置位于所述腔体下部;所述加热装置包括上下叠置的晶圆承载层、加热层及磁场调节层,所述加热层的厚度为1.5~5mm;所述加热层包括多个加热区域,所述多个加热区域用于实现多个不同的加热温度,所述磁场调节层用于调节所述腔体内部晶圆附近的磁场分布,以改善沉积薄膜的应力均匀性。
2.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述多个加热区域包括位于所述加热层的中部的圆形加热区域及依次环绕于所述圆形加热区域外围的若干环形加热区域。
3.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述多个加热区域呈轴对称分布。
4.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述多个加热区域呈圆形阵列分布。
5.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述加热区域内设置有加热元件,不同加热区域的加热元件的密度相同,且不同加热区域的加热元件连接至不同的加热电源。
6.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述加热区域内设置有加热元件,不同加热区域的加热元件的密度不同,且不同加热区域的加热元件连接至同一加热电源。
7.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述多个加热区域连接至同一加热电源,不同加热区域的加热元件的功率不同。
8.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述加热区域内设置有加热元件,所述多个加热区域的加热元件与所述加热装置的上表面具有不同的距离。
9.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:每个所述加热区域内都设有一个以上的加热元件,所述加热元件的形状包括丝状、片状、板状、网状、盘状、管状、棒状、筒状、布状、带状中的一种或多种,每个所述加热区域内的加热元件呈轴对称分布。
10.根据权利要求9所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:每个所述加热区域设置有外保护层,所述加热元件位于所述外保护层内。
11.根据权利要求10所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述外保护层与所述加热元件之间填充有导热材料,所述导热材料包括氮化铝和氧化镁中的一种或两种。
12.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:相邻的所述加热区域之间设置隔热用的隔热环或者填有绝热物质。
13.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备还包括多个温控器,所述多个温控器与所述多个加热区域一一对应设置,用于调节对应加热区域的温度。
14.根据权利要求1所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述磁场调节层内分布有多个永磁体,所述多个永磁体的分布包括放射状、条状、环状及螺旋状中的一种。
15.根据权利要求14所述的改善薄膜均匀性的物理气相沉积设备,其特征在于:所述永磁体使用的永磁材料包括钕铝镍钴系永磁合金、铁铬钴系永磁合金、永磁铁氧体、钕铁硼永磁材料和钐钴高温永磁材料中的一种或多种。
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