[发明专利]带隙参考电压产生电路有效

专利信息
申请号: 202010020763.8 申请日: 2020-01-09
公开(公告)号: CN112558675B 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 吴昌宪;林俊谷 申请(专利权)人: 新唐科技股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 周晓飞;许曼
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 参考 电压 产生 电路
【权利要求书】:

1.一种带隙参考电压产生电路,其特征在于,包含:

一参考电压产生电路,具有一第一电流输入端以及一第二电流输入端,该参考电压产生电路分别在该第一电流输入端以及该第二电流输入端形成一参考电压;

一电流产生电路,具有一第一输入端以及一第二输入端,该第一输入端以及该第二输入端分别电连接至该第一电流输入端以及该第二电流输入端,该电流产生电路用以产生一第一电流,用以偏压该参考电压产生电路;

一分流电路,具有一电流输入端、一第一电流输出端以及一第二电流输出端,该电流输入端接收该第一电流,其中该分流电路的该电流输入端的电压作为该带隙参考电压产生电路的一输出电压;以及

一第一连接路径切换电路,电连接于该电流产生电路与该分流电路之间,且用以切换该电流产生电路的该第一输入端以及该第二输入端与该分流电路的该第一电流输出端以及该第二电流输出端之间的连接路径;以及

一控制电路,产生一第一控制信号以周期性地控制该第一连接路径切换电路的切换操作;

该参考电压产生电路包含一第一双极结晶体管、一第二双极结晶体管以及一第四电阻,该第一双极结晶体管的射极电连接该第一连接路径切换电路,该第一双极结晶体管的基极与集极彼此电连接,该第二双极结晶体管的射极电连接该第四电阻的一端,该第二双极结晶体管的基极与集极电连接该第一双极结晶体管的该基极,该第四电阻的另一端电连接该第一连接路径切换电路,其中该第二双极结晶体管的射极面积为该第一双极结晶体管的射极面积的多倍。

2.如权利要求1所述的带隙参考电压产生电路,其特征在于,该分流电路包含一第一电阻、一第二电阻以及一第三电阻,该第一电阻的一端电连接该电流产生电路而另一端电连接该第二电阻以及该第三电阻的一端,而该第二电阻以及该第三电阻的另一端电连接该第一连接路径切换电路。

3.如权利要求1所述的带隙参考电压产生电路,其特征在于,该第一连接路径切换电路包含一第一开关、一第二开关、一第三开关以及一第四开关,该第一开关以及该第二开关的一端电连接该分流电路的该第一电流输出端,而该第一开关以及该第二开关的另一端分别电连接该参考电压产生电路的该第一电流输入端以及该第二电流输入端,该第三开关以及该第四开关的一端电连接该分流电路的该第二电流输出端,而该第三开关以及该第四开关的另一端分别电连接该参考电压产生电路的该第一电流输入端以及该第二电流输入端。

4.如权利要求1所述的带隙参考电压产生电路,其特征在于,该电流产生电路包含一第一运算放大器、一信号滤波器、以及一MOS晶体管,该第一运算放大器的一第一输入端作为该电流产生电路的该第一输入端,该第一运算放大器的一第二输入端作为该电流产生电路的该第二输入端,该第一运算放大器的一输出端电连接该信号滤波器的一输入端,该信号滤波器的一输出端电连接该MOS晶体管的栅极,该MOS晶体管的源极接收一供应电压,而该MOS晶体管的漏极输出该第一电流。

5.如权利要求1所述的带隙参考电压产生电路,其特征在于,该电流产生电路包含一第二运算放大器、一信号滤波器、以及一MOS晶体管,该第二运算放大器的一第一输入端作为该电流产生电路的该第一输入端,该第二运算放大器的一第二输入端作为该电流产生电路的该第二输入端,该第二运算放大器的一输出端电连接该信号滤波器的一输入端,该信号滤波器的一输出端电连接该MOS晶体管的栅极,该MOS晶体管的源极接收一供应电压,而该MOS晶体管的漏极输出该第一电流;

其中该带隙参考电压产生电路更包含一第二连接路径切换电路,电连接于该电流产生电路与该第一连接路径切换电路之间,且用以切换该电流产生电路的该第二运算放大器的两个输入端与该第一连接路径切换电路的二个输出端之间的连接路径;

其中该第二运算放大器的二输入端的极性为可互换。

6.如权利要求5所述的带隙参考电压产生电路,其特征在于,该控制电路产生一第二控制信号以周期性地控制该第二连接路径切换电路的切换操作以及互换该第二运算放大器的该二输入端的极性。

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