[发明专利]一种跨导电容滤波器

权利要求书

1.一种跨导电容滤波器，其特征在于，包括恒定Gm偏置电路和主滤波器，所述恒定Gm偏置电路输出控制电压Vct到所述主滤波器。

2.如权利要求1所述的跨导电容滤波器，其特征在于，所述恒定Gm偏置电路包括PMOS管电流镜、电流镜旁路电容、NMOS管电流镜和开关电容，所述PMOS管电流镜和所述NMOS管电流镜连接，所述电流镜旁路电容连接所述PMOS管电流镜，滤除所述PMOS管电流镜的电流噪声，所述开关电容连接所述NMOS管电流镜。

3.如权利要求2所述的跨导电容滤波器，其特征在于，所述PMOS管电流镜包括PMOS管一和PMOS管二。

4.如权利要求3所述的跨导电容滤波器，其特征在于，所述NMOS管电流镜包括NMOS管一和NMOS管二。

5.如权利要求4所述的跨导电容滤波器，其特征在于，所述PMOS管一和所述PMOS管二的漏极分别和所述NMOS管一和所述NMOS管二的漏极连接。

6.如权利要求5所述的跨导电容滤波器，其特征在于，所述开关电容两侧分别连接所述NMOS管二的源极和地。

7.如权利要求2至6任一所述的跨导电容滤波器，其特征在于，所述开关电容包括一对互补开关CK和电容，当CK闭合时对所述电容进行充电，当闭合时对所述电容进行放电。

8.如权利要求7所述的跨导电容滤波器，其特征在于，所述开关电容等效为电阻，阻值R＝(C_s F_ck)^-1，其中C_s是所述开关电容的容值，F_ck是开关控制信号的频率。

9.如权利要求8所述的跨导电容滤波器，其特征在于，通过所述NMOS管电流镜复制所述NMOS管一上的电流到所述主滤波器，所述主滤波器的内部跨导其中F_ck由所述主滤波器所在的系统中的PLL分频得到，K是所述NMOS管二与所述NMOS管一的尺寸之比。

10.一种电路，其特征在于，包括如权利要求1-9任一所述的跨导电容滤波器。