[发明专利]一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法

权利要求书

1.一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于在溅射过程中，通过固态微波源激励等离子体实现膜层氧化，以提高膜层折射率的稳定性。

2.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于采用的固态微波源的频率为2450MHz。

3.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于所述的固态微波源采用具有矩形谐振腔的定向耦合器波导，从而提高谐振腔内的微波谐振腔模式数，提高微波场的均匀性。

4.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于采用双磁控溅射靶进行磁控溅射镀膜。

5.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于磁控溅射靶的材料包括硅、铌、钽、钛、锆。

6.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于所述的方法具体如下：向用于磁控溅射的真空腔体的一侧的氧化区导入氧气，用以把镀层金属氧化成氧化物，并通过所述的固态微波源为氧分子输入能量，以生成活泼的等离子体进而提高与金属结合的效率，其中镀层金属为导电体，且为非氧化物。

7.如权利要求1所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于所述的固态微波源设置有相连的调谐器和定向耦合器波导，所述的定向耦合器波导的谐振腔采用矩形谐振腔。

8.如权利要求7所述的一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法，其特征在于所述的定向耦合器波导远于调谐器的一端还连接有适配端部。