[发明专利]电光调制器及其制作方法

权利要求书

1.一种电光调制器，其特征在于，包括在低介电常数衬底上至下而上依次排列的低介电常数键合层、铌酸锂波导结构、在微波共面波导传输线的基础上加载形成的周期性T型金属电极以同时实现高效率电场加载和低微波损耗。

2.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述低介电常数键合层在铌酸锂波导结构有效调制区下方区域由空气替代。

3.如权利要求1或2所述的电光调制器，其特征在于，所述铌酸锂波导结构和在微波共面波导传输线的基础上加载形成的周期性金属电极之间，进一步包括电介质层。

4.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述低介电常数衬底为石英晶体，厚度范围为100um～500um。

5.如权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述低介电常数键合层为二氧化硅层或者苯并环丁烯BCB层，厚度范围为2um～10um。

6.如权利要求3所述的电光调制器，其特征在于，所述电介质层为氮化硅层或者二氧化硅层，厚度范围为100nm～200nm。

7.一种电光调制器的制作方法，其特征在于，该方法包括：

形成低介电常数衬底；

在所述低介电常数衬底表面沉积低介电常数键合层；

将铌酸锂晶体层与键合层进行键合并剥离，形成铌酸锂薄膜层；并将所述铌酸锂薄膜层刻蚀形成铌酸锂波导结构；

在微波共面波导传输线的基础上加载形成周期性T型金属电极以同时实现高效率电场加载和低微波损耗。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述低介电常数衬底表面沉积低介电常数键合层之后，该方法进一步包括：将铌酸锂波导结构有效调制区下方的低介电常数键合层移除。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，在形成铌酸锂波导结构之后，该方法还包括：

在所述铌酸锂波导结构表面沉积形成电介质层；

在所述电介质层表面形成周期性金属电极。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，当键合层为二氧化硅层时，采用干法刻蚀或者湿法腐蚀的方法移除铌酸锂波导结构有效调制区下方的低介电常数键合层；

当键合层为BCB层时，采用曝光显影的方法移除铌酸锂波导结构有效调制区下方的低介电常数键合层。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，金属电极形成方法包括：

经过溅射形成电镀的种子层；

在所述种子层表面涂布光刻胶进行光刻露出电极区域进行金属电极电镀；

去除光刻胶后采用盐酸去除显露出来的电极间种子层。