[发明专利]电子设备的中框及其制作方法、电子设备

权利要求书

1.一种电子设备的中框，其特征在于，包括：

中框本体，形成所述中框本体的材料包括铝合金；

打底层，所述打底层设置在所述中框本体的表面上；

光学膜层，所述光学膜层设置在所述打底层远离所述中框本体的表面上；

保护层，所述保护层设置在所述光学膜层远离所述中框本体的表面上，且形成所述保护层的材料包括类金刚石碳。

2.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，形成所述打底层的材料包括铬。

3.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述打底层的厚度为2～4微米。

4.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述光学膜层包括交替设置的多个第一子膜层和多个第二子膜层，且所述第一子膜层的折射率高于所述第二子膜层的折射率，并且，所述第一子膜层和所述第二子膜层的总层数为10～30层。

5.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述光学膜层的厚度小于1微米。

6.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述保护层的厚度为0.1～1.0微米。

7.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述打底层、所述光学膜层和所述保护层是通过磁控溅射形成的。

8.一种制作电子设备的中框的方法，其特征在于，包括：

在中框本体的表面上，磁控溅射形成打底层，其中，形成所述中框本体的材料包括铝合金；

在所述打底层远离所述中框本体的表面上，磁控溅射形成光学膜层；

在所述光学膜层远离所述中框本体的表面上，磁控溅射形成保护层，且形成所述保护层的材料包括类金刚石碳。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述打底层的磁控溅射靶材为铬、偏电压为-100～-300V、电流为20～50A、真空度为0.1～0.3Pa且沉积时间为3～7小时。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成光学膜层的步骤包括：

依次在所述打底层远离所述中框本体的表面上，交替磁控溅射形成多个第一子膜层和多个第二子膜层，且所述第一子膜层的折射率高于所述第二子膜层的折射率。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述保护层的磁控溅射靶材为碳或石墨、偏电压为-300～-1000V、电流为1～15A、真空度为0.05～0.1Pa且沉积时间为30～100分钟。

12.一种电子设备，其特征在于，包括：

中框，所述中框包括层叠设置的中框本体、打底层、光学膜层和保护层，且形成所述保护层的材料包括类金刚石碳；

第一盖板，所述第一盖板设置在所述中框的第一表面；

第二盖板，所述第二盖板设置在所述金属中框的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；

显示装置，所述显示装置设置在所述第一盖板与所述第二盖板之间。