[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一基底，所述第一基底包括第一连接层以及覆盖所述第一连接层的第一钝化层；

在所述第一钝化层表面形成介质层以及贯穿所述介质层和所述第一钝化层与所述第一连接层连接的导电接触部，所述导电接触部的顶部高于所述介质层表面；

提供第二基底，所述第二基底包括第二连接层以及覆盖所述第二连接层的第二钝化层；

刻蚀所述第二钝化层，形成至少暴露部分第二连接层表面的第二开口，所述第二开口位置与所述导电接触部在第一基底内的位置对应；

将所述第一基底与所述第二基底进行键合，包括：将所述第一基底上的导电接触部顶部嵌入所述第二开口内，与所述第二连接层键合连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述导电接触部的方法包括：刻蚀所述介质层、第一钝化层至所述第一连接层表面，形成第一开口；形成填充满所述第一开口，且覆盖所述介质层表面的导电层；去除所述第一开口周围的介质层表面的导电层，形成填充满所述第一开口且顶部高于所述介质层表面的导电接触部。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过刻蚀工艺去除所述第一开口周围的介质层表面的导电层。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过化学机械研磨工艺对所述导电层进行研磨，形成所述导电接触部。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电接触部的顶部呈弧形凸起。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述化学机械研磨工艺采用的研磨液对所述介质层的研磨速率大于对所述导电层的研磨速率。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，将所述第一基底与所述第二基底进行键合的方法还包括：将所述第一基底上的导电接触部顶部嵌入所述第二开口后，进行热处理，形成热处理结合界面。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电接触部的材料包括Al、Cu或W中至少一种。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一基底上的导电接触部顶部嵌入所述第二开口后，所述第二开口的至少部分边缘与所述导电接触部之间具有间隙。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一基底，所述第一基底包括第一连接层以及覆盖所述第一连接层的第一钝化层；

覆盖所述第一钝化层表面的介质层；

贯穿所述介质层至所述第一连接层表面的导电接触部，所述导电接触部顶部高于所述介质层表面；

第二基底，所述第二基底包括第二连接层以及覆盖所述第二连接层的第二钝化层，所述第二钝化层内具有暴露所述第二连接层至少部分表面的第二开口，所述第二开口位置与所述导电接触部在第一基底内的位置对应；

所述第一基底与所述第二基底键合连接，所述导电接触部顶部嵌入所述第二开口内，与所述第二连接层连接。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触部顶部平坦。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触部顶部呈弧形凸起。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触部与所述第二连接层之间具有一热处理结合界面。

14.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述导电接触部的材料包括Al、Cu或W中至少一种。

15.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二开口的至少部分边缘与所述导电接触部之间具有间隙。