[发明专利]控制器、存储器系统及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器系统，包括：

非易失性存储器装置；以及

控制器，控制所述非易失性存储器装置，

其中所述非易失性存储器装置包括第一数据存储区域和第二数据存储区域，在所述第一数据存储区域中存储器单元以第一模式存储一位数据，在所述第二数据存储区域中存储器单元以第二模式存储两位或更多位数据，

所述控制器控制所述非易失性存储器装置以所述第二模式对所述第一数据存储区域和所述第二数据存储区域执行读取操作，

所述控制器将通过所述读取操作从所述第一数据存储区域读取的第一数据解码为所述第一模式的数据，

所述控制器将通过所述读取操作从所述第二数据存储区域读取的第二数据解码为所述第二模式的数据，并且

所述控制器控制所述非易失性存储器装置通过将用于读取所述第二模式的数据的多个读取电压中的任意一个改变为用于读取所述第一模式的数据的读取电压值来以所述第二模式对所述第一数据存储区域执行所述读取操作。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，

其中所述控制器从主机接收针对所述第一数据存储区域的第一读取命令和针对所述第二数据存储区域的第二读取命令，并对所述第一读取命令和所述第二读取命令进行排队，

其中所述控制器基于所排队的读取命令，控制所述非易失性存储器装置以路径交错方式对所述第一数据存储区域和所述第二数据存储区域执行所述读取操作，并且

其中所述控制器将经解码的第一数据和经解码的第二数据传送到所述主机。

3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述第一数据存储区域和所述第二数据存储区域包括在共享路径的不同平面中。

4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器控制所述非易失性存储器装置仅根据用于读取所述第二模式的数据的所述多个读取电压之中最接近用于读取所述第一模式的数据的读取电压的读取电压来对所述第一数据存储区域执行所述读取操作。

5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述第一模式是所述第一数据存储区域中包括的多个存储器单元作为单层单元即SLC进行操作的操作模式，并且所述第二模式是所述第二数据存储区域中包括的多个存储器单元作为多层单元即MLC、三层单元即TLC和四层单元即QLC中的至少一个进行操作的操作模式。

6.一种控制非易失性存储器装置的控制器，所述控制器包括：

处理器，控制所述非易失性存储器装置以第二模式对第一数据存储区域和第二数据存储区域执行读取操作，在所述第一数据存储区域中存储器单元以第一模式存储一位数据，在所述第二数据存储区域中存储器单元以所述第二模式存储两位或更多位数据；以及

错误校正码引擎，即ECC引擎，将通过所述读取操作从所述第一数据存储区域读取的第一数据解码为所述第一模式的数据，并且将通过所述读取操作从所述第二数据存储区域读取的第二数据解码为所述第二模式的数据，

其中所述处理器控制所述非易失性存储器装置通过将用于读取所述第二模式的数据的多个读取电压中的任意一个改变为用于读取所述第一模式的数据的读取电压值来以所述第二模式对所述第一数据存储区域执行所述读取操作。

7.根据权利要求6所述的控制器，

进一步包括主机接口，所述主机接口与主机执行数据通信，

其中所述处理器从所述主机接收针对所述第一数据存储区域的第一读取命令和针对所述第二数据存储区域的第二读取命令，并对所述第一读取命令和所述第二读取命令进行排队，并且

其中所述处理器基于所排队的读取命令，控制所述非易失性存储器装置以路径交错方式对所述第一数据存储区域和所述第二数据存储区域执行所述读取操作。

8.根据权利要求6所述的控制器，其中所述第一数据存储区域和所述第二数据存储区域包括在共享路径的不同平面中。