[发明专利]存储装置在审
申请号: | 202010023238.1 | 申请日: | 2020-01-09 |
公开(公告)号: | CN112420105A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 黑沢智紀;中村大 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/34 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 | ||
1.一种存储装置,具备:
存储单元;
字线,连接于所述存储单元;
字线驱动器,产生针对所述字线的选择信号;
第1晶体管,包含供输入由所述字线驱动器产生的选择信号的栅极、及将基于所述选择信号的信号供给到所述字线的漏极;以及
检测电路,检测基于将数据写入所述存储单元之后的验证期间中于所述第1晶体管流通的电流的值。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于:还包含连接于所述第1晶体管的漏极的分压电路。
3.根据权利要求2所述的存储装置,其特征在于:于所述分压电路流通定电流。
4.根据权利要求2所述的存储装置,其特征在于:所述分压电路包含电阻。
5.根据权利要求2所述的存储装置,其特征在于:利用所述分压电路的指定的部分获得的信号被反馈到所述字线驱动器。
6.根据权利要求2所述的存储装置,其特征在于:所述检测电路包含第2晶体管,所述第2晶体管包含供输入由所述字线驱动器产生的选择信号的栅极,且流通与在所述第1晶体管中流通的电流相等的电流。
7.根据权利要求6所述的存储装置,其特征在于:所述检测电路通过检测基于所述验证期间中于所述第2晶体管流通的电流的值,从而检测基于所述验证期间中于所述第1晶体管流通的电流的值。
8.根据权利要求6所述的存储装置,其特征在于:所述检测电路包含产生与在所述分压电路流通的电流相等的电流的等电流产生电路。
9.根据权利要求8所述的存储装置,其特征在于:
所述检测电路包含连接于所述等电流产生电路的定电流源,且
将在所述第2晶体管流通的电流设为第1电流,将由所述等电流产生电路产生的电流与由所述定电流源产生的电流的差量设为第2电流,
所述检测电路检测基于所述第1电流与所述第2电流的差量的值。
10.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于:所述第1晶体管为PMOS晶体管。
11.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于:所述存储单元为非易失性存储单元。
12.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于:所述验证期间中在所述第1晶体管流通的电流依存于在所述字线流通的漏电流。
13.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于:还具备写入控制电路,所述写入控制电路基于利用所述检测电路所获得的检测结果,进行所述验证期间之后的写入控制。
14.根据权利要求13所述的存储装置,其特征在于:所述写入控制电路在利用所述检测电路所获得的检测结果不满足指定的基准的情况下,禁止所述验证期间之后的写入。
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