[发明专利]用于自旋场效应晶体管的自旋信号测量方法及系统

权利要求书

1.一种用于自旋场效应晶体管的自旋信号测量方法，其特征在于，包括：

对自旋场效应晶体管的漏极和源极之间施加电压，并通过所述自旋场效应晶体管的栅极，得到所述自旋场效应晶体管的第一转移曲线；

基于预设磁场方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的目标转移曲线；

根据所述第一转移曲线和所述目标转移曲线，获取不同预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的自旋信号测量结果；

所述对自旋场效应晶体管的漏极和源极之间施加电压，并通过所述自旋场效应晶体管的栅极，得到所述自旋场效应晶体管的第一转移曲线，包括：

对自旋场效应晶体管的漏极和源极之间施加电压；

根据预设调整范围，对所述自旋场效应晶体管的栅极电压进行调整，以根据调整后的栅极电压得到第一转移曲线；

所述基于预设磁场方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的目标转移曲线，包括：

基于平行于所述自旋场效应晶体管中纳米管的方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的第二转移曲线；

根据所述第一转移曲线和所述第二转移曲线，获取不同预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的自旋信号测量结果；

所述基于预设磁场方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的目标转移曲线，还包括：

基于平行于所述自旋场效应晶体管中漏极和源极之间的电场方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的第三转移曲线；

根据所述第一转移曲线和所述第三转移曲线，获取不同预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的自旋信号测量结果；

所述基于预设磁场方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的目标转移曲线，还包括：

基于垂直于所述自旋场效应晶体管衬底表面的方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的第四转移曲线；

根据所述第一转移曲线和所述第四转移曲线，获取不同预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的自旋信号测量结果。

2.根据权利要求1所述的用于自旋场效应晶体管的自旋信号测量方法，其特征在于，所述基于预设磁场方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的目标转移曲线，还包括：

基于多种预设的磁场方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到在每种预设的磁场方向中，每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的目标转移曲线。

3.根据权利要求2所述的用于自旋场效应晶体管的自旋信号测量方法，其特征在于，在所述根据所述第一转移曲线和所述目标转移曲线，获取不同预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的自旋信号测量结果之前，包括：

基于平行于所述自旋场效应晶体管中纳米管的方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的第二转移曲线；

基于平行于所述自旋场效应晶体管中漏极和源极之间的电场方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的第三转移曲线；

基于垂直于所述自旋场效应晶体管衬底表面的方向，对所述自旋场效应晶体管施加多种预设强度的磁场，得到每种预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的第四转移曲线；

根据所述第一转移曲线、所述第二转移曲线、所述第三转移曲线和所述第四转移曲线，获取不同预设强度的磁场下所述自旋场效应晶体管的自旋信号测量结果。