[发明专利]低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种低滚降准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于：从下而上依次设置阳极(1)、空穴传输层(2)、空穴传输层与发光层界面修饰层(3)、钙钛矿发光层(4)、发光层与电子传输界面修饰层(5)、电子传输层(6)、电子注入层(7)、阴极(8)；

所述阳极(1)的厚度为100-150nm；所述阳极(1)采用ITO导电玻璃薄膜；

所述空穴传输层(2)的厚度为40-50nm；

所述空穴传输层与发光层界面修饰层(3)的厚度为1-10nm；所述空穴传输层与发光层界面修饰层(3)的材料采用碳酸铯(Cs₂CO₃)；

所述钙钛矿发光层(4)的厚度为60-100nm；

所述发光层与电子传输界面修饰层(5)的厚度为1-10nm；所述发光层与电子传输界面修饰层(5)的材料采用四正辛基溴化铵(TOAB)；

所述电子传输层(6)的厚度为30-40nm；

所述电子注入层(7)的厚度为1-2nm；

所述阴极(8)的厚度为100～150nm；所述阴极采用铝电极或者银电极；

空穴传输层与发光层界面修饰层(3)修饰空穴传输层(2)和钙钛矿发光层(4)的界面，发光层与电子传输界面修饰层(5)修饰钙钛矿发光层(4)与电子传输层(6)的界面。

2.根据权利要求1所述低滚降准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于：

或者，所述空穴传输层(2)采用PEDOT:PSS、poly-TPD、PVK、TFB中的至少一种材料制成；

或者，所述电子传输层(6)的材料采用TPBI；

或者，所述电子注入层(7)的材料采用氟化锂(LiF)。

3.根据权利要求1所述低滚降准二维钙钛矿发光二极管，其特征在于：所述钙钛矿发光层(4)的发射波长为505～515nm，半高宽为20～30nm。

4.一种权利要求1所述低滚降准二维钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a.ITO导电玻璃预处理：

采用ITO透明导电玻璃，去除灰尘，进行清洗、干燥预处理，作为阳极；

b.空穴传输层的制备：

通过溶液旋涂法，在完成预处理后的阳极表面上制备空穴传输层，并进行退火处理；

c.空穴传输层与发光层界面修饰层的制备：

通过溶液旋涂法，在完成退火处理后的空穴传输层上继续制备Cs₂CO₃材料层，并进行退火处理，得到空穴传输层与发光层界面修饰层，来修饰空穴传输层和钙钛矿发光层的界面；

d.钙钛矿发光层的制备：

通过溶液旋涂法，在完成退火处理后的Cs₂CO₃材料层上继续制备钙钛矿发光层，并进行退火处理；

e.发光层与电子传输层界面修饰层的制备：

通过溶液旋涂法，在完成退火处理后的钙钛矿发光层上继续制备四正辛基溴化铵(TOAB)材料层，得到发光层与电子传输层界面修饰层，来修饰钙钛矿发光层与电子传输层的界面；

f.电子传输层的制备：

通过真空蒸镀方法，在发光层与电子传输层界面修饰层上沉积制备电子传输层；

g.电子注入层的制备：

通过真空蒸镀方法，在电子传输层上沉积制备电子注入层；

h.阴极的制备：

通过真空蒸镀法，将金属沉积在电子注入层表面，制备阴极，从而得到低滚降准二维钙钛矿发光二极管器件。

5.根据权利要求4所述低滚降准二维钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述步骤d中，钙钛矿发光层采用前驱体溶液形成准二维钙钛矿材料溶液，前驱体溶液包括间隔阳离子、溴化铯和溴化铅。

6.根据权利要求5所述低滚降准二维钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：在所述步骤d中，前驱体溶液中的间隔阳离子溶液、溴化铯和溴化铅的摩尔比为1:6:5。