[发明专利]EUV掩模缺陷检测系统及方法

说明书

一种EUV掩模缺陷检测系统及方法，其中EUV掩模检测系统包括：极紫外光束，所述极紫外光束斜射入一待测掩模表面；反光杯，用于收集并反射因待测掩模表面缺陷引起的散射光；传输部件，用于将所述反光杯发出的反射光进行传输；探测器，用于接收所述传输部件传输的光信号，获取待测掩模表面缺陷信息。本发明设计将极紫外光束斜射入待测掩模，允许反光杯作为收集部件更加靠近待测掩模表面，进而增大了收集部件NA，提高缺陷引起的散射光收集效率。

技术领域

本发明涉及EUV光刻技术领域，尤其涉及一种EUV掩模缺陷检测系统及方法。

背景技术

无缺陷EUV(extremely ultraviolet)掩模制备是制约EUV光刻走向量产的关键问题之一。因此EUV掩模缺陷检测是实现EUV光刻的关键核心技术。EUV掩模缺陷可以分为振幅型缺陷和相位型缺陷两种，其中相位型缺陷是最重要的缺陷，因为它的存在不能修复。相位缺陷也是研究最多的缺陷。因相位缺陷为EUV掩模版多层结构畸变引起，需要穿透多层结构进行检测，传统基于深紫外或紫外的检测方法无法满足这种要求。

为此，研究人员利用actinic方法，即基于EUV波段的光源穿透多层结构进行缺陷检测，且有几种最典型的实现方法，其中最典型的是基于Schwarzschild光学系统的暗场检测方法，该方法如图1所示。主要通过该方法由两个曲面镜和一个平面镜组成，平面镜除了对入射光具有转折作用外，还可以遮挡反射光，两曲面镜将缺陷产生的散射光收集到CCD(charge-coupled device，电荷耦合元件)。

该方法的缺点一方面是由于平面反射镜的存在使得曲面反射镜不能太靠近掩模版进行缺陷检测，这就限制了缺陷散射光的接收NA(numerical aperture，数值孔径)，同时若想增大接收NA必须增大曲面反射镜的尺寸，曲面反射镜的尺寸增大一方面增大了曲面反射镜的加工难度，另一方面增大了加工成本；另一方面，当缺陷较小，缺陷散射光信号与噪声相当时，因信噪比下降系统很难检测出缺陷。总之，急需一种方法能够使接收系统无限靠近掩模版进行检测，无需增大接收镜面积而使接收NA很大，同时能够增加探测系统信噪比，进一步提高检测灵敏度。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种EUV掩模缺陷检测系统和方法，以期至少部分地解决上述提及的技术问题的至少之一。

作为本发明的一个方面，提供一种EUV掩模缺陷检测系统，包括：

极紫外光束，所述极紫外光束斜射入一待测掩模表面；

反光杯，用于收集并反射因待测掩模表面缺陷引起的散射光；

传输部件，用于将所述反光杯发出的反射光进行传输；

探测器，用于接收所述传输部件传输的光信号，获取待测掩模表面缺陷信息。

作为本发明的另一个方面，还提供一种采用如上述的EUV掩模缺陷检测系统的检测方法，所述检测方法包括如下步骤：

步骤1：将极紫外光的光束斜射入待测掩模上，待测掩模因表面缺陷发出散射光；

步骤2：反光杯收集并反射所述散射光；

步骤3：传输部件将所述反光杯发出的反射光进行传输；

步骤4：探测器接收传输部件传输的光信号，获取待测掩模表面的缺陷信息。

基于上述技术方案，本发明相较于现有技术至少具有以下有益效果的其中之一或其中一部分：

本发明的EUV掩模缺陷检测系统，设计将极紫外光束斜射入待测掩模，允许反光杯作为收集部件更加靠近待测掩模表面，进而增大了收集部件NA，提高缺陷引起的散射光收集效率。