[发明专利]一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将钛电极用HF和HNO₃混合液浸泡，洗涤，干燥，得到预处理的钛电极；

(2)将步骤(1)预处理的钛电极浸入含多巴胺的三羟甲基氨基甲烷缓冲液中，在20～35℃浸泡10～30h，洗涤，干燥，得到聚多巴胺修饰的钛电极；

(3)将聚多巴胺修饰的钛电极浸入硝酸银溶液中，在20～35℃反应12～30h，洗涤，干燥，得到掺杂银粒子的抗菌钛电极材料。

2.根据权利要求1所述一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述多巴胺的三羟甲基氨基甲烷缓冲液的pH＝7.4～10，其中多巴胺的浓度为0.1～20g/L。

3.根据权利要求1所述一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述硝酸银溶液的浓度为1～30mmol/L。

4.根据权利要求1所述一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述HF和HNO₃混合液中HF和HNO₃的摩尔比为0.54：0.29，其中HF在混合液中的浓度为0.27mol/L。

5.根据权利要求1或2或3或4所述一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述浸泡的温度为28℃，浸泡时间为5～10min。

6.根据权利要求5所述一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述HF和HNO₃混合液是由浓度为0.54mol/L的HF溶液和浓度为0.29mol/L的HNO₃溶液按照体积比1：1混合得到。

7.根据权利要求5所述一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述钛电极用HF和HNO₃混合液浸泡前，还需分别用丙酮、无水乙醇和去离子水各超声清洗5～15min；所述洗涤为用去离子水超声清洗5～20min；所述干燥的温度为30～80℃，干燥时间为5～24min。

8.根据权利要求5所述一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述洗涤为用去离子水超声清洗5～20min；所述干燥的温度为30～50℃，干燥时间为10～20min；步骤(3)所述洗涤指用去离子水清洗，所述干燥指氮气吹干。

9.权利要求1～8任一项所述方法制得的一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料。

10.权利要求9所述一种掺杂银粒子的抗菌钛电极材料的应用。