[发明专利]一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置有效
申请号: | 202010026177.4 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111244014B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 余仁惠;谢洪洲;胡晔;郑上涛;查文;陈美珍;陈信;李增荣;侯清娜;刁凯 | 申请(专利权)人: | 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L27/15;G06F3/044;G09F9/33;G09G3/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 金俊姬 |
地址: | 350300 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转移 驱动 背板 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置,该转移基板,包括:基材,位于基材之上的多个发光二极管,以及多个分别位于相邻的发光二极管之间的连接结构;连接结构,用于连接相邻的发光二极管;多个连接结构分别与驱动背板上的各对位结构相对应,且多个连接结构在发光二极管的转移过程中用于与对应的对位结构进行对位。本发明实施例提供的转移基板,多个连接结构可以将多个发光二极管连成一个整体,在发光二极管转移过程中,发光二极管不容易丢失和磨损,并且在发光二极管的转移过程中,可以通过多个连接结构与对应的连接结构进行对位,将发光二极管与对应的驱动电极组对齐,提高对位精度,减少错位,提高发光二极管的转移良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置。
背景技术
由于微型发光二极管(Micro LED)具有自发光、结构简单、体积小和节能等优点,因而微型发光二极管显示技术将成为下一代具有革命性的技术,具体地,Micro LED显示器的耗电量仅为液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)的10%,为有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode,OLED)的50%。另外,与同样属于自发光显示器的OLED显示器相较,在同样的电力下,Micro LED显示器的荧幕亮度比OLED显示器高出三倍,显示色域高达120%以上,并具有较佳的材料稳定性与无影像残留。
由于制程中需要将Micro-LED阵列巨量式转移至电路基板上,在这个过程中,由于对位以及器件粘合应力等因素影响,多发错位、磨损、丢失等状况,导致Micro-LED阵列的转移良率较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种转移基板、驱动背板、转移方法及显示装置,用以解决现有技术中存在的微型发光二极管的转移良率较低的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种转移基板,包括:基材,位于所述基材之上的多个发光二极管,以及多个分别位于相邻的所述发光二极管之间的连接结构;
所述连接结构,用于连接相邻的所述发光二极管;
多个所述连接结构分别与驱动背板上的各对位结构相对应,且多个所述连接结构在所述发光二极管的转移过程中用于与对应的对位结构进行对位。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述转移基板中,还包括:位于所述基材之上的多个第一触控电极;
所述连接结构,还用于连接相邻的所述第一触控电极。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述转移基板中,多个所述发光二极管呈阵列排布;任意相邻两个所述发光二极管之间均设有所述连接结构;
各所述第一触控电极分别位于多个所述发光二极管的行间隙和列间隙的交叉位置。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述转移基板中,所述发光二极管包括引出电极;
所述第一触控电极与相邻的所述发光二极管的引出电极电连接;
所述引出电极用于在显示时间段向所述发光二极管提供显示信号,以及在触控检测时间段向所述第一触控电极提供触控扫描信号或接收所述第一触控电极的反馈信号。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述转移基板中,还包括:位于所述基材与所述发光二极管之间的隔离层;
所述隔离层的亲和性随温度变化而变化。
第二方面,本发明实施例还提供了一种驱动背板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板之上的多个驱动电极组,以及多个分别位于相邻的所述驱动电极组之间的对位结构;
多个所述驱动电极组的位置分别与转移基板中的各发光二极管的位置相对应;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010026177.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造