[发明专利]一种耐高温类金刚石膜层的生产工艺

权利要求书

1.一种耐高温类金刚石膜层的生产工艺，其特征在于：将基底材料装配在真空容器内，对真空容器进行抽真空，抽真空后先采用离子束清洗工艺对基底材料的表面进行离子束清洗处理，然后再采用纯离子真空镀膜工艺对离子束清洗处理后的表面进行纯离子真空镀膜处理，所镀膜层为类金刚石Ta-C膜层。

2.根据权利要求1所述的耐高温类金刚石膜层的生产工艺，其特征在于：纯离子真空镀膜处理工艺过程中可以向真空容器内注入工艺气体，所述工艺气体包括：Ar、C₂H₂、C₂H₄、C₂H₆。

3.根据权利要求2所述的耐高温类金刚石膜层的生产工艺，其特征在于：纯离子真空镀膜处理中阴极镀膜靶材为高纯石墨靶材，离子束清洗处理的电压为300～5000V，Ar离子能量：200～5000eV，基底材料包括金属、合金、玻璃、树脂、塑料，陶瓷。

4.根据权利要求3所述的耐高温类金刚石膜层的生产工艺，其特征在于：纯离子真空镀膜处理中纯离子电流参数为20～300A，纯离子真空镀膜处理中电磁过滤管的直径为0.1～0.8m，长度为0.2～1.5m，电磁过滤管内的过滤磁场为30～3000Gs。

5.根据权利要求3所述的耐高温类金刚石膜层的生产工艺，其特征在于：纯离子真空镀膜过程中电磁扫描磁场为10～3000Gs。

6.根据权利要求3所述的耐高温类金刚石膜层的生产工艺，其特征在于：所镀膜层厚度为0～50um。

7.根据权利要求3所述的耐高温类金刚石膜层的生产工艺，其特征在于：基底材料在进行纯离子真空镀膜处理时对基底材料施加的偏压为-10000～0V。

8.根据权利要求4所述的耐高温类金刚石膜层的生产工艺，其特征在于：基底材料在进行纯离子真空镀膜处理时真空容器内温度为0～150℃，真空容器进行抽真空的真空度范围为10^-1～10^-5Pa。

9.根据权利要求1所述的耐高温类金刚石膜层的生产工艺，其特征在于：基底材料上所镀的膜层为层状结构，各层的材料组成相同或相异。

10.根据权利要求9所述的耐高温类金刚石膜层的生产工艺，其特征在于：相邻层进行镀膜之前，进行离子束清洗处理。