[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010026996.9 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN113113347B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 刘佑铭;王宁;卢合强 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基底，所述基底包括设置有浅沟槽的衬底，以及位于所述衬底上的依次堆叠设置的衬垫氧化层及氮化硅层，且所述衬垫氧化层及氮化硅层显露所述浅沟槽；
形成保护氧化层，所述保护氧化层覆盖所述浅沟槽的底部及侧壁，且所述保护氧化层的厚度范围包括100埃～300埃；
形成填充氧化层，所述填充氧化层填充所述浅沟槽，且至少所述填充氧化层中位于所述浅沟槽开口处及以上的部分中具有掺杂离子，所述掺杂离子包括硼离子、镓离子中的一种或组合，以通过所述掺杂离子降低所述填充氧化层在酸性溶液中的刻蚀速率。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：所述酸性溶液包括热磷酸、HF溶液、RCA溶液及BOE溶液中的一种。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：形成所述填充氧化层的方法包括原位掺杂法；所述原位掺杂法包括HDP掺杂法或HARP掺杂法。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：形成所述填充氧化层的方法包括以所述氮化硅层作为掩膜的离子注入掺杂法、DPN掺杂法及热扩散掺杂法中的一种。
5.根据权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：当采用所述离子注入掺杂法或DPN掺杂法形成所述填充氧化层后，还包括退火的步骤。
6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：在形成所述保护氧化层之前，还包括回蚀所述氮化硅层的步骤。
7.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于：还包括去除所述氮化硅层及衬垫氧化层的步骤。
8.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构包括：
衬底，所述衬底设置有浅沟槽；
保护氧化层，所述保护氧化层覆盖所述浅沟槽的底部及侧壁，且所述保护氧化层的厚度范围包括100埃～300埃；
填充氧化层，所述填充氧化层填充所述浅沟槽，且至少所述填充氧化层中位于所述浅沟槽开口处及以上的部分中具有掺杂离子，所述掺杂离子包括硼离子、镓离子中的一种或组合，以通过所述掺杂离子降低所述填充氧化层在酸性溶液中的刻蚀速率。
9.根据权利要求8所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述酸性溶液包括热磷酸、HF溶液、RCA溶液及BOE溶液中的一种。
10.根据权利要求8所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述填充氧化层覆盖所述衬底的部分上表面。
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