[发明专利]一种半导体制冷器与天空辐射制冷体耦合的复合制冷装置有效
申请号: | 202010027015.2 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111207530B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 关学新;赵斌;裴刚 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | F25B25/00 | 分类号: | F25B25/00;F25B23/00;F25B21/02 |
代理公司: | 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) 34114 | 代理人: | 金惠贞 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 制冷 天空 辐射 耦合 复合 装置 | ||
1.一种半导体制冷器与天空辐射制冷耦合的复合制冷装置,其特征在于:包括管状的冷却剂通道(6)、天空辐射制冷体(1)和一个以上的半导体热电制冷器(TEC);
还包括管状的第一冷却剂通道、管状的第二冷却剂通道;所述第一冷却剂通道和第二冷却剂通道串联,所述天空辐射制冷体(1)设于第一冷却剂通道外部的一侧表面上,第一冷却剂通道外部的其它表面上设有隔热板(2);所述TEC设于第二冷却剂通道外部的一侧表面上,第二冷却剂通道外部的其它表面上设有隔热板(2);
第一冷却剂通道的入口连通着左三通阀(7)的第一出口,左三通阀(7)的入口为冷却剂入口;所述第一冷却剂通道和第二冷却剂通道之间串联着右三通阀(8),左三通阀(7)的第二出口连通着右三通阀(8)的第一入口,右三通阀(8)的第二入口连通着第一冷却剂通道的出口,右三通阀(8)的出口连通着第二冷却剂通道的入口;
在夜间辐射制冷工况:所述天空辐射制冷体(1)材料为在大于4微米的全部中红外波段具有高发射率的材料或在8-13微米的大气窗口波段具有高发射率、在其余中红外波段具有低发射率的材料;
所述在大于4微米的全部中红外波段具有高发射率的材料为高分子聚酯类薄膜、黑漆表面、玻璃中的一种;
所述在8-13微米的大气窗口波段具有高发射率、在其余中红外波段具有低发射率的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、有机硅薄膜中的一种;
在全天辐射制冷工况:所述天空辐射制冷体(1)材料为在中红外波段具有高发射率、在0.3-4微米的太阳光波段具有高反射率的材料;
所述在中红外波段具有高发射率、在0.3-4微米的太阳光波段具有高反射率的材料为有机硅薄膜与银膜的复合膜;
工作时,天空辐射制冷体(1)面向天空,以热辐射形式释放热量,达到降低自身温度,形成局部冷源的目的;另一方面,通过流动工质在TEC冷却侧和天空辐射制冷体(1)之间的冷却剂通道(6)内流动,将两者的“冷”能量收集在一起。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010027015.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。