[发明专利]垂直型器件的制作方法有效
| 申请号： | 202010027027.5 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN113113496B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 曾莺华 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 器件 制作方法 | ||
1.一种垂直型器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供N型重掺杂层，所述N型重掺杂层具有相对的正面与背面，在所述N型重掺杂层的正面形成多个第一凹槽；
在所述第一凹槽内以及所述N型重掺杂层的正面形成N型轻掺杂层，所述N型轻掺杂层远离所述N型重掺杂层的一面形成第二凹槽，所述第二凹槽位置对应所述第一凹槽形成；
在所述第二凹槽内以及所述N型轻掺杂层的正面形成P型半导体层；
平坦化所述P型半导体层，除去位于所述N型轻掺杂层的正面的部分所述P型半导体层，仅保留所述第二凹槽内的所述P型半导体层；
在上述结构上形成钝化层，所述钝化层形成有第三凹槽，所述第三凹槽位于所述第二凹槽内的部分所述P型半导体层上、以及相邻的两个所述第二凹槽之间的所述N型轻掺杂层上，所述第三凹槽的深度等于所述钝化层的厚度；
形成第一电极，所述第一电极设置于部分所述钝化层上、以及所述第三凹槽内，使得所述第一电极与所述第二凹槽内的所述P型半导体层部分接触，且与位于相邻的两个所述第二凹槽之间的所述N型轻掺杂层接触；
形成第二电极，所述第二电极设置于所述N型重掺杂层的背面。
2.根据权利要求1所述的垂直型器件的制作方法，其特征在于，在所述N型轻掺杂层生长过程中形成所述第二凹槽。
3.根据权利要求1所述的垂直型器件的制作方法，其特征在于，所述N型重掺杂层的掺杂浓度在1018/cm3量级以上，所述N型轻掺杂层的掺杂浓度在1018/cm3量级以下。
4.根据权利要求1所述的垂直型器件的制作方法，其特征在于，所述N型重掺杂层和N型轻掺杂层之间可以包括缓冲层。
5.根据权利要求1所述的垂直型器件的制作方法，其特征在于，在所述钝化层形成有第三凹槽中，所述第三凹槽通过刻蚀形成。
6.根据权利要求1所述的垂直型器件的制作方法，其特征在于，
所述N型重掺杂层为GaN基材料；和/或，
所述N型轻掺杂层为GaN基材料；和/或，
所述P型半导体层为GaN基材料。
7.根据权利要求1所述的垂直型器件的制作方法，其特征在于，所述N型重掺杂层、所述N型轻掺杂层和所述P型半导体层的材料均相同或均不同。
8.根据权利要求1的垂直型器件的制作方法，其特征在于，采用化学机械抛光法平坦化所述P型半导体层。
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