[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

多个晶体管单元，它们形成于半导体层；

电流电极，其形成为将所述多个晶体管单元覆盖，该电流电极在所述多个晶体管单元导通时成为电流路径；

导线，其与所述电流电极接合；以及

哑单元，其在所述半导体层，至少形成于所述导线与所述电流电极接合的区域即导线接合区域的中心部的下方，该哑单元不进行双极动作。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多个晶体管单元中的一部分形成于除了所述导线接合区域的中心部之外的所述导线接合区域的下方，

所述导线接合区域的下方的晶体管单元的通电能力低于所述导线接合区域的外侧的晶体管单元的通电能力。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述导线接合区域的下方的晶体管单元的通电能力越是接近所述导线接合区域的外周部越高。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多个晶体管单元中的一部分形成于除了所述导线接合区域的中心部之外的所述导线接合区域的下方，

多个所述哑单元分散在所述导线接合区域的下方。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

在所述导线接合区域的下方，哑单元相对于晶体管单元的比率越是接近所述导线接合区域的外周部的位置越低。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述多个晶体管单元各自具有：

栅极绝缘膜，其形成于所述半导体层之上；

栅极电极，其形成于所述栅极绝缘膜之上；

第一导电型的第一杂质扩散层，其形成于所述半导体层的表层部，该第一杂质扩散层在晶体管单元导通时成为电流路径；

第二导电型的第二杂质扩散层，其隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极电极相邻，在该第二杂质扩散层形成在晶体管单元导通时成为电流路径的沟道；以及

接触构造，其将所述第一杂质扩散层和所述电流电极之间连接，

所述哑单元不具有所述第一杂质扩散层、所述栅极电极及所述接触构造中的大于或等于1个。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述多个晶体管单元中的一部分形成于除了所述导线接合区域的中心部之外的所述导线接合区域的下方，

所述导线接合区域的下方的晶体管单元的所述第一杂质扩散层的宽度比所述导线接合区域的外侧的晶体管单元的所述第一杂质扩散层的宽度窄。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述导线接合区域的下方的晶体管单元的所述第一杂质扩散层的宽度越是接近所述导线接合区域的外周部越宽。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述多个晶体管单元中的一部分形成于除了所述导线接合区域的中心部之外的所述导线接合区域的下方，

所述导线接合区域的下方的晶体管单元的所述栅极电极的间距比所述导线接合区域的外侧的晶体管单元的所述栅极电极的间距长。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述导线接合区域的下方的晶体管单元的所述栅极电极的间距越是接近所述导线接合区域的外周部越短。

11.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述多个晶体管单元中的一部分形成于除了所述导线接合区域的中心部之外的所述导线接合区域的下方，

所述导线接合区域的下方的晶体管单元的所述接触构造的宽度比所述导线接合区域的外侧的晶体管单元的所述接触构造的宽度窄。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

所述导线接合区域的下方的晶体管单元的所述接触构造的宽度越是接近所述导线接合区域的外周部越宽。