[发明专利]一种柔性可控的有机电致发光阵列、制备方法及应用有效
申请号: | 202010027764.5 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN111200002B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 江诚鸣;曹旭光;卜镜元;宋金会 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 隋秀文;温福雪 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 可控 有机 电致发光 阵列 制备 方法 应用 | ||
1.一种柔性可控的有机电致发光阵列,其特征在于,所述的柔性可控的有机电致发光阵列由五层纳米网组成,从下至上依次为PVA纳米纤维网、Ag纳米网、Alq3纳米网、NPB纳米网和ITO纳米网;其中,PVA纳米纤维网作为基底,其余为发光阵列层;Ag纳米网为条纹阵列,位于PVA纳米纤维网表面上,Alq3纳米网为圆形阵列,位于Ag纳米网表面上,NPB纳米网的尺寸和形状与Alq3纳米网相同,位于Alq3纳米网表面上;ITO纳米网为条纹阵列,位于NPB纳米网的表面上,尺寸和形状与Ag纳米网相同,二者的条纹相互垂直,且Ag纳米网与NPB纳米网相互不接触,ITO纳米网与Ag纳米网的条纹阵列交叉点即为NPB纳米网和Alq3纳米网的圆形阵列。
2.权利要求1所述的一种柔性可控的有机电致发光阵列的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
第一步:利用静电纺丝技术制作PVA纳米纤维网基板;其中,纺丝液为浓度为10%-15%的PVA溶液;
第二步:真空环境下,采用第一掩膜版遮盖第一步制备得到的PVA纳米纤维网基板的表面,在PVA纳米纤维网基板上以0.1-0.3Å/s的蒸发速率热蒸镀Ag,形成条纹阵列的Ag纳米网;
其中,第一掩膜版的尺寸大于等于PVA纳米纤维网基板的尺寸,第一掩膜版上等间距开有同尺寸的长方形开孔,形成格栅状;长方形开孔的宽为40-120μm,相邻长方形开孔之间的未开孔部分的宽度与长方形开孔宽度相同;
第三步:真空条件下,将第三掩膜版置于第二步制备得到的Ag纳米网表面上,在Ag纳米网上以0.1-0.3Å/s的蒸发速率热蒸镀Alq3,形成圆形阵列的Alq3纳米网;
其中,第三掩膜版的尺寸大于等于PVA纳米纤维网基板的尺寸,第三掩膜版上等间距、对称设有相同尺寸的圆孔,形成圆孔阵列,圆孔的直径为40-120μm,每行每列的圆孔之间的间距与圆孔的直径相同,且圆孔的直径与第一掩膜版的长方形开孔的宽度相同;
第四步:真空条件下,将第三掩膜版置于第三步制备得到的Alq3纳米网表面上,在Alq3纳米网上以0.1-0.3Å/s的蒸发速率热蒸镀NPB,第三掩膜版的摆放位置与第三步中完全一致,使NPB纳米网与Alq3纳米网完全重合,形成圆形阵列的NPB纳米网;
第五步:在真空条件下,将第二掩膜版置于第四步制备得到的NPB纳米网表面上,在圆形阵列的NPB纳米网上磁控溅射ITO,且第二掩膜版的长方形开孔的方向与第二步时的第一掩膜版的开孔方向相互垂直,且完全覆盖Ag纳米网,形成条纹阵列的ITO纳米网,且ITO纳米网与Ag纳米网的条纹阵列交叉点即为NPB纳米网和Alq3纳米网的圆形阵列;
其中,第二掩膜版的尺寸大于等于PVA纳米纤维网基板的尺寸,第二掩膜版上等间距开有同尺寸的长方形开孔,形成格栅状,长方形开孔的尺寸与第一掩膜版相同,二者的长方形开孔的位置完全互补。
3.权利要求1所述的一种柔性可控的有机电致发光阵列在发光装置的应用,其特征在于,Ag纳米网的条纹阵列作为电致发光阵列的阴极;Alq3纳米网的圆形阵列作为电致发光阵列的有机发光层,用于传输注入电子,在该层电子空穴复合发光,NPB纳米网的圆形阵列作为电致发光阵列的空穴传输层,用于注入空穴,Alq3纳米网与NPB纳米网共同形成发光单元;ITO纳米网的条纹阵列作为电致发光阵列的阳极;Ag纳米网的条纹阵列和ITO纳米网的条纹阵列与控制系统连接,根据发光图案的要求,通过控制系统控制不同的阴极和阳极开关来使 特定点列发光。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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