[发明专利]线圈电流分配式的蚀刻机结构

说明书

本发明公开了一种线圈电流分配式的蚀刻机结构，其包括：第一电浆反应腔体，其具有第一反应腔室；多个第一C型线圈，其是上、下排列于第一反应腔室的外围，又每一第一C型线圈具有第一输入端部及第一接地端部；以及第一电源模块，其借由多个第一可变电容，一对一的电性连接于第一输入端部。借由本发明的实施，可以动态提供不同的清理能量，以适应反应腔室内不同部位不同厚度沉积物的清理。

技术领域

本发明涉及蚀刻机结构，特别是涉及一种线圈电流分配式的蚀刻机结构。

背景技术

对感应耦合电浆(Inductively Coupled Plasma，ICP)而言，线圈的位置及长度是很重要的。一旦线圈的的长度及位置被固定后，就不会再变动，因此电浆浓度的均匀度，电子温度分布，对反应腔体内局部损害的位置与程度都会固定。

如图1所示，当蚀刻机被使用一段时间后，在反应腔室的壁体上，就会有电浆反应后的聚合物的沉积(图中深色区域P101)，又相关聚合物的沉积，将会造成反应腔室内制程参数的失真，此外当聚合物沉积的厚度逐渐增加后，反应腔室内杂质微粒的准位也将随之升高，也因此产生严重影响良率的问题。

现有的感应耦合电浆蚀刻机，特别是在使用干式清理(dry clean)的时候，由于每个部位聚合物沉积的厚度均有所不同，因此如何设计出，针对不同部位提供不同清理能量的机制，以使聚合物有效的被清除(图中浅色区域P102)，已成为设备研发时重要的课题。

发明内容

本发明为一种线圈电流分配式的蚀刻机结构，其主要是要解决如何使线圈依状况提供不同的磁场，以有动态的在不同部位产生不同的电浆密度，以提供不同的清理能量。

本发明提供一种线圈电流分配式的蚀刻机结构，其包括：第一电浆反应腔体，其具有第一反应腔室；多个第一C型线圈，其是上、下排列于第一反应腔室的外围，又每一第一C型线圈具有第一输入端部及第一接地端部；以及第一电源模块，其借由多个第一可变电容，一对一的电性连接于第一输入端部。

在本发明一实施例中，该多个第一C型线圈，其彼此相互平行的排列。

在本发明一实施例中，该多个第一C型线圈，其彼此相互等间距的排列。

在本发明一实施例中，该第一电源模块与接地端间设有防突波电容。

在本发明一实施例中，多个该接地端部串联电容后与接地端电性连接。

在本发明一实施例中，线圈电流分配式的蚀刻机结构还具有：

第二电浆反应腔体，其具有与该第一反应腔室相连通的第二反应腔室；

多个第二C型线圈，其是上、下排列于该第二反应腔室的外围，又每一该第二C型线圈具有第二输入端部及第二接地端部；以及

第二电源模块，其借由多个第二可变电容，一对一的电性连接于该第二输入端部。

在本发明一实施例中，该多个第二C型线圈，其彼此相互平行的排列。

在本发明一实施例中，该复数个第二C型线圈，其彼此相互等间距的排列。

在本发明一实施例中，该第二电源模块与接地端间设有防突波电容。

在本发明一实施例中，多个该接地端部串联电容后与接地端电性连接。

借由本发明的实施，至少可以达成下列的进步功效：

(一)可以借由线圈，选择性的在不同部位产生不同的电浆密度，使反应腔室内，产生不同的清理能量。

(二)可以降低反应腔室内的杂质微粒的准位。