[发明专利]一种基于GaN/rGO的红外位置传感器、制备方法及检测方法有效
| 申请号： | 202010028257.3 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111162161B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 胡来归;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L37/02 | 分类号： | H01L37/02;G01B11/00;G01S11/12 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan rgo 红外 位置 传感器 制备 方法 检测 | ||
【权利要求书】：
1.一种位置检测方法，其特征在于，采用红外位置传感器进行如下步骤，
S1：红外光斑照射所述红外位置传感器的rGO层产生热能，改变该处的自发极化，使该处接触面的屏蔽电荷向两端部欧姆电极扩散形成电压差；
S2：分别检测两端部欧姆电极间的横向光电压V；
S3:计算出光斑偏移传感中心的位移x：
x＝l·ln[kV+(k2V2+1)1/2]；
其中k为常数，l为载流子在所述rGO层中的扩散长度；
所述光斑尺寸为1μm-3μm；
所述红外位置传感器为对称结构，包括GaN衬底，所述GaN衬底上两端部的欧姆接触电极和所述欧姆接触电极之间的且与所述欧姆接触电极接触的所述rGO层；所述GaN衬底Ga面与所述rGO层形成接触面使得光斑照射处所述rGO层产生热能，改变该处的自发极化，使该处接触面的屏蔽电荷向两端部电极扩散形成电压差，所述rGO层的长度L为20mm-40mm，宽度D为1mm-3mm。
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