[发明专利]电子器件

说明书

本发明题为“电子器件”。本发明公开了一种电子器件。所述电子器件可以包括限定沟槽的衬底。在一个实施方案中，半导体主体可以在所述沟槽内，其中，所述半导体主体具有至少0.05欧姆‑厘米的电阻率，并且与所述衬底电隔离。在一个实施方案中，电子部件可以在所述半导体主体内。所述电子部件可以是电阻器或二极管。在一个特定实施方案中，所述半导体主体具有上表面，所述电子部件在上表面内并沿着所述上表面，并且与所述半导体主体的底部间隔开。在另外的实施方案中，所述电子器件还可以包括在所述衬底的有源区内的第一电子部件、在所述沟槽内的隔离结构和在所述隔离结构内的第二电子部件。

技术领域

本公开涉及电子器件和形成电子器件的工艺，并且更具体地讲，涉及包括沟槽内的半导体主体或隔离结构的电子器件及其形成工艺。

背景技术

半导体管芯可以包括不同的部件，其中一个部件可能干扰另一个部件的操作。例如，功率晶体管可以与逻辑晶体管隔离，使得功率晶体管的电场不会不利地影响逻辑晶体管的操作。深沟槽隔离可以用于将功率晶体管与逻辑晶体管电隔离；然而，深沟槽隔离占据了仅用于电隔离的管芯面积。期望半导体管芯的改进和管芯面积的更有效利用。

附图说明

在附图中以举例说明的方式示出实施方案，而实施方案并不受限于附图。

图1和图2包括工件的一部分的俯视图和剖视图的图示，该工件包括衬底和延伸到衬底中的沟槽。

图3和图4包括图1和图2的工件的俯视图和剖视图的图示，该工件包括沟槽内的绝缘层和半导体主体。

图5和图6包括根据一个实施方案在形成电阻器之后图3和图4的工件的一部分的剖视图和俯视图的图示。

图7和图8包括根据另一个实施方案在形成电阻器之后图3和图4的工件的一部分的剖视图和俯视图的图示。

图9和图10包括根据又一个实施方案在形成电阻器之后图3和图4的工件的一部分的剖视图和俯视图的图示。

图11包括根据另一个实施方案在形成二极管之后图3和图4的工件的一部分的俯视图的图示。

图12包括根据一个实施方案的包括二极管的图11的工件的一部分的剖视图的图示。

图13包括根据一个实施方案的包括一组二极管的图11的工件的一部分的剖视图的图示。

图14包括包含单晶半导体材料的电阻器和包含多晶半导体材料的另一个电阻器的电路示意图的描绘。

图15包括根据一个实施方案的图14的电路示意图的物理设计的图示。

图16包括可用于温度感测电路的电阻器的电路示意图的描绘。

图17包括根据一个实施方案的图16的电路示意图的物理设计的图示。

图18包括在半导体主体内包括晶体管和电阻器的逆变器的电路示意图的描绘。

图19包括根据一个实施方案的图18的电路示意图的物理设计的图示。

图20包括其基极连接到分压器的双极型晶体管的电路示意图的描绘。

图21包括其栅极连接到分压器的结型场效应晶体管的电路示意图的描绘。

图22包括金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和帮助保护晶体管的栅极的电子部件的电路示意图的描绘。

图23包括根据一个实施方案的图22的电路示意图的物理设计的图示。

图24包括根据另一个实施方案的图22的电路示意图的物理设计的图示。

图25包括根据又一个实施方案的图22的电路示意图的物理设计的图示。