[发明专利]一种高开路电压的半透明钙钛矿太阳能电池

权利要求书

1.一种高开路电压的半透明钙钛矿太阳能电池，其特征在于：采用聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺]PTAA作为半透明钙钛矿太阳能电池的空穴传输层，空穴传输层的厚度为10-30nm，空穴传输层采用浓度大于等于10 mg/mL的聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺]PTAA溶液动态旋涂法制备。

2.根据权利要求1所述的一种高开路电压的半透明钙钛矿太阳能电池，其特征在于：采用厚度为150 nm的图案化的透明的氧化铟锡薄膜ITO作为阳极，采用10-30nm厚的聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺]PTAA作为半透明钙钛矿太阳能电池的空穴传输层，采用厚度为140-160 nm的钙钛矿CH₃NH₃Pb[I_0.85Br_0.15]₃薄膜作为活性层，采用70-80 nm厚的[6, 6]-苯基C61-丁酸甲酯PC₆₀BM薄膜作为电子传输层，采用厚度5-10 nm的2, 9-二甲基-4，7-二苯基-1 10-邻菲啰啉BCP薄膜作为缓冲层，采用11-12 nm厚的银膜作为阴极，在阴极上蒸镀一层氧化钼MoO₃作为光学耦合层。

3.一种高开路电压的半透明钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于：将聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺]PTAA溶解在甲苯中，获得浓度大于等于10 mg/mL的聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺]PTAA溶液，将聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺]PTAA溶液通过溶液动态旋涂法在阳极上制备空穴传输层。

4.根据权利要求3所述的一种高开路电压的半透明钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于： 使用甲苯试剂配制10-15 mg/mL的聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺]（PTAA）溶液，通过溶液旋涂法滴涂在ITO基底上，转速为4000-6000 rpm，待样品旋转结束后，将其放在热台上，在氮气氛围中、温度100°C下退火5-10 min，然后移出手套箱放置于紫外臭氧清洗机中，设置实际照射时间为60-120 s。

5.根据权利要求3所述的一种高开路电压的半透明钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于：空穴传输层制备过程转速为4000-6000 rpm，旋涂时间为30-45 s，制备完成后，氮气氛围中退火时间5-10 min，退火温度100℃，然后置于紫外臭氧清洗机中，设置实际照射时间为60-120 s。

6.根据权利要求3所述的一种高开路电压的半透明钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于：在玻璃基底上通过磁控溅射沉积一层透明的氧化铟锡薄膜ITO，通过湿法刻蚀制备出图案化的ITO作为透明电池的阳极，将聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺]PTAA溶液利用溶液动态旋涂法在ITO阳极上制备空穴传输层，厚度10-30nm，在空穴传输层上，使用仲丁醇作为反溶剂，一步法制备厚度为140-160 nm的钙钛矿CH₃NH₃Pb[I_0.85Br_0.15]₃薄膜作为活性层，在活性层上制备厚度为70-80 nm的[6, 6]-苯基C61-丁酸甲酯PC₆₀BM薄膜作为电子传输层，在电子传输层上制备厚度为5-10 nm的2, 9-二甲基-4，7-二苯基-1 10-邻菲啰啉BCP薄膜作为缓冲层，在缓冲层上蒸镀厚度为11-12 nm的银膜作为阴极，在阴极上蒸镀一层厚度为20-30nm的氧化钼MoO₃作为光学耦合层。