[发明专利]高电源抑制比基准电路

权利要求书

1.一种高电源抑制比基准电路，其包括启动电路模块、带隙基准电路模块，其特征在于，其还包括预调节电路模块，所述预调节电路模块输入端连接电压源VDD，所述预调节电路模块用于形成内部稳定电压，产生预稳压源Vreg，为所述带隙基准电路模块供电，所述启动电路模块分别与所述带隙基准电路模块、预调节电路模块连接，所述带隙基准电路模块采用自偏置电流镜的电流模结构。

2.根据权利要求1所述的一种高电源抑制比基准电路，其特征在于，所述启动电路包括MOS管MS1，所述MOS管MS1源极分别连接MOS管MS2源极、MOS管MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6源极、MOS管MP7、MN10漏极、电容Cc一端，所述MOS管MS1漏极分别连接MOS管MS2栅极、电容Cs一端，所述MOS管MS2漏极分别连接所述MOS管MP1、MN1漏极和栅极、MOS管MN2、MN6、MP6栅极。

3.根据权利要求2所述的一种高电源抑制比基准电路，其特征在于，所述带隙基准电路模块包括所述MOS管MP1、MP2、MP3、MP4、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7，所述MOS管MP1栅极分别连接所述MOS管MP2栅极和漏极、MOS管MN2、MN6漏极、MOS管MP3、MP4、MP5栅极，所述MOS管MN1源极连接三极管QB1发射极，所述MOS管MN2源极连接电阻R1一端，所述电阻R1另一端连接三极管QB2发射极，所述MOS管MN6源极分别连接MOS管MN3、MN4漏极，所述MOS管MN3源极连接电阻R2一端，所述MOS管MN4源极分别连接三极管QB3发射极、MOS管MN5源极，所述MOS管MN5基极分别连接所述MOS管MN5漏极、MOS管MN7栅极、MOS管MP3漏极，所述MOS管MN7源极分别连接电容C1一端、电阻R5一端、MOS管MP4漏极。

4.根据权利要求3所述的一种高电源抑制比基准电路，其特征在于，所述预调节电路模块包括所述MOS管MP5、MP6、MP7、MP8，所述MOS管MP5漏极分别连接所述MOS管MN8漏极和栅极、MN9栅极、MOS管MN11栅极，所述MOS管MP6漏极分别连接所述电容Cc另一端、MOS管MN10栅极、MOS管MN9漏极，所述MOS管MN11漏极分别连接所述MOS管MP7栅极、MP8栅极和漏极，所述MOS管MP7源极、MP8源极连接所述电压源VDD，所述MOS管MN11源极、MOS管MN8、MN9源极、电阻R5另一端、电容C1另一端、三极管QB3基极和集电极、电阻R2另一端、三极管QB2基极和集电极、三极管QB1基极和集电极、电容Cs另一端、MOS管MS1栅极连接后接地。