[发明专利]载体板的去除方法在审
申请号: | 202010030220.4 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111463162A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 铃木克彦;樱井孝寿;木内逸人 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 载体 去除 方法 | ||
1.一种载体板的去除方法,将载体板从借助临时粘接层而设置于该载体板的正面上的工件上去除,其中,
该载体板的去除方法包含如下的工序:
阶梯差部形成工序,从设置有该工件的该正面侧沿着该载体板的外周缘对该载体板的外周部进行加工,形成该载体板的背面侧比该载体板的该正面侧向侧方突出的阶梯差部;
保持工序,在实施了该阶梯差部形成工序之后,在将该工件定位于该载体板的上方的状态下利用保持单元从上方对该工件进行保持;以及
载体板去除工序,在实施了该保持工序之后,利用按压部件对该阶梯差部施加向下的力而使该载体板向远离该工件的方向移动,从而将该载体板从该工件上去除。
2.根据权利要求1所述的载体板的去除方法,其中,
在该载体板去除工序中,在向该工件与该载体板之间吹送流体之后或在向该工件与该载体板之间吹送流体的同时对该阶梯差部施加向下的力而将该载体板从该工件上去除。
3.根据权利要求1所述的载体板的去除方法,其中,
在该载体板去除工序中,在使该工件和该载体板沉浸于液体中的状态下对该阶梯差部施加向下的力。
4.根据权利要求2所述的载体板的去除方法,其中,
在该载体板去除工序中,在使该工件和该载体板沉浸于液体中的状态下对该阶梯差部施加向下的力。
5.根据权利要求3所述的载体板的去除方法,其中,
在该液体中含有表面活性剂。
6.根据权利要求4所述的载体板的去除方法,其中,
在该液体中含有表面活性剂。
7.根据权利要求3至6中的任意一项所述的载体板的去除方法,其中,
在该载体板去除工序中,在使该工件和该载体板沉浸于该液体中的状态下,一边对该按压部件赋予振动一边对该阶梯差部施加向下的力。
8.根据权利要求3至6中的任意一项所述的载体板的去除方法,其中,
在该载体板去除工序中,在使该工件和该载体板沉浸于该液体中的状态下,一边对该液体赋予振动一边对该阶梯差部施加向下的力。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010030220.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于生态风险熵评价的浅池处理单元设计方法
- 下一篇:半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造