[发明专利]接收器、接收电路、半导体装置和半导体系统在审
申请号: | 202010032048.6 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN112118000A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 黄奎栋 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收器 接收 电路 半导体 装置 系统 | ||
1.一种接收器,包括:
第一使能电路,其被配置为将接收第一电源电压的节点与第一公共节点彼此耦接;
输入电路,其耦接在所述第一公共节点与第一输出节点和第二输出节点之间,被配置为基于输入信号来改变所述第一输出节点的电压电平,并且基于参考电压来改变所述第二输出节点的电压电平;
电流电路,其被配置为允许相同量的电流流过所述第一输出节点和所述第二输出节点;和
补偿电路,其被配置为通过第二公共节点接收所述第一电源电压,被配置为基于所述输入信号将所述第二公共节点耦接到所述第二输出节点,并被配置为基于所述参考电压将所述第二公共节点耦接到所述第一输出节点。
2.根据权利要求1所述的接收器,其中,所述第一使能电路包括:
电阻元件,其在一端被耦接到接收所述第一电源电压的节点;和
第一使能晶体管,其耦接在所述电阻元件的另一端与所述第一公共节点之间,被配置为在其栅极处接收使能信号。
3.根据权利要求1所述的接收器,其中,所述输入电路包括:
第一输入晶体管,其耦接在所述第一公共节点与所述第一输出节点之间,被配置为在其栅极处接收所述输入信号;和
第二输入晶体管,其耦接在所述第一公共节点与所述第二输出节点之间,被配置为在其栅极处接收所述参考电压。
4.根据权利要求1所述的接收器,其中,所述电流电路包括:
第一电流晶体管,其耦接在所述第一输出节点与被提供第二电源电压的节点之间,并在其栅极处耦接到所述第二输出节点;和
第二电流晶体管,其耦接在所述第二输出节点与接收所述第二电源电压的节点之间,并在其栅极处耦接到所述第二输出节点。
5.根据权利要求1所述的接收器,其中,所述补偿电路在所述输入信号具有逻辑高电平时上拉驱动所述第二输出节点,并且在所述输入信号具有逻辑低电平时上拉驱动所述第一输出节点。
6.根据权利要求1所述的接收器,其中,所述补偿电路包括:
第一补偿晶体管,其耦接在所述第二公共节点与所述第一输出节点之间,被配置为在其栅极处接收所述参考电压;和
第二补偿晶体管,其耦接在所述第二公共节点与所述第二输出节点之间,被配置为在其栅极处接收所述输入信号。
7.根据权利要求2所述的接收器,还包括第二使能电路,
其中,所述第二使能电路包括第二使能晶体管,所述第二使能晶体管耦接在接收所述第一电源电压的节点与所述第二公共节点之间,并被配置为在其栅极处接收所述使能信号。
8.一种接收器,包括:
第一输入晶体管,其被配置为接收输入信号,并且被配置为改变第一输出节点的电压电平;
第二输入晶体管,其被配置为接收参考电压,并且被配置为改变第二输出节点的电压电平;
电阻元件,其被配置为将接收第一电源电压的节点与所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管彼此耦接;
电流电路,其被配置为向所述第一输出节点和所述第二输出节点提供第二电源电压;
第一补偿晶体管,其被配置为基于所述参考电压来改变所述第一输出节点的电压电平;和
第二补偿晶体管,其被配置为基于所述输入信号来改变所述第二输出节点的电压电平。
9.根据权利要求8所述的接收器,其中,所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管的类型与所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管的类型在结构上彼此镜像。
10.根据权利要求8所述的接收器,其中,所述第一补偿晶体管和所述第二补偿晶体管具有小于所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管的尺寸。
11.根据权利要求8所述的接收器,其中,当所述输入信号具有逻辑高电平时,参考所述第一输出节点的电压电平所述第二输入晶体管升高所述第二输出节点的电压电平,并且所述第二补偿晶体管额外地升高所述第二输出节点的电压电平。
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