[发明专利]功率半导体器件及其制备工艺

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括：

第一导电类型半导体层，具有第一导电类型；

阱区组件，所述阱区组件包括第一导电类型阱区和第二导电类型阱区；

第一导电类型阱区，具有所述第一导电类型，设置在所述第一导电类型半导体层内；

第二导电类型阱区，具有第二导电类型，设置在第一导电类型阱区内且被第一导电类型阱区完全包围；

所述第一导电类型半导体层包括至少两个依次层叠设置的漂移层，所述第一导电类型阱区设置于最靠近其的第一漂移层内且与第一漂移层相邻的第二漂移层重叠以形成重叠区域；所述第一漂移层的掺杂浓度小于第二漂移层的掺杂浓度，所述第二漂移层的掺杂浓度大于相对其远离所述第一导电类型阱区的其它漂移层的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型阱区的掺杂浓度大于所述第一导电类型半导体层的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型阱区的掺杂浓度为1×10¹⁶ cm^-3—5×10¹⁷ cm^-3，所述第一导电类型半导体层的掺杂浓度为1×10¹⁴cm^-3—5×10¹⁷ cm^-3。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一漂移层为第一宽带隙漂移层，所述第二漂移层为第二宽带隙漂移层，所述第一导电类型半导体层由依次层叠设置的第一宽带隙漂移层和第二宽带隙漂移层组成，所述第一宽带隙漂移层的掺杂浓度小于第二宽带隙漂移层的掺杂浓度，所述第一导电类型阱区至少部分与所述第二宽带隙漂移层重叠以形成重叠区域。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的功率半导体器件，其特征在于，沿所述第二导电类型阱区的深度方向上，所述第二导电类型阱区的掺杂浓度变小。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其特征在于，沿所述第二导电类型阱区的深度方向上，所述第二导电类型阱区的掺杂浓度逐渐变小。

7.根据权利要求5所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二导电类型阱区沿其深度的方向上，所述第二导电类型阱区包括依次连接的第一阱区段、第二阱区段和第三阱区段，所述第一阱区段的的掺杂浓度不小于1×10¹⁹ cm^-3，所述第二阱区段的掺杂浓度为1×10¹⁷ cm^-3—5×10¹⁸ cm^-3，所述第三阱区段的掺杂浓度不小于1×10¹⁶ cm^-3。

8.根据权利要求7所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第三阱区段的掺杂浓度为1×10¹⁶ cm^-3—5×10¹⁷ cm^-3。

9.根据权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型阱区的壁厚H1不大于2μm。

10.根据权利要求4或9所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一宽带隙漂移层的掺杂浓度为1×10¹⁴ cm^-3—5×10¹⁷ cm^-3；

所述第二宽带隙漂移层的掺杂浓度为1×10¹⁴ cm^-3—5×10¹⁷ cm^-3；

所述第二导电类型阱区的深度d为1-2μm。