[发明专利]三维存储器及三维存储器的制作方法有效
申请号: | 202010032258.5 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111244097B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 谢柳群;杨川;许波;殷姿;吴智鹏 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11524 | 分类号: | H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 存储器 制作方法 | ||
1.一种三维存储器,其特征在于,包括:
衬底;
第一层叠结构,设置在所述衬底上,在第一方向上依次包括台阶区及堆叠区;
第一台阶结构,形成在所述第一层叠结构的台阶区上;
第二层叠结构,设置在所述第一层叠结构的堆叠区上,在所述第一方向上依次包括核心区及台阶区;
第二台阶结构,形成在所述第二层叠结构的台阶区上;
其中,所述第一方向是平行于所述衬底表面的方向,所述第一台阶结构仅设置在所述第一层叠结构的一侧,所述第二台阶结构仅设置在所述第二层叠结构远离所述第一台阶结构的一侧。
2.根据权利要求1所述的三维存储器,其特征在于,所述第一层叠结构和所述第二层叠结构包括多层交替层叠的介质层和栅极层。
3.根据权利要求2所述的三维存储器,其特征在于,所述第一台阶结构包括多层第一台阶,每层所述第一台阶包括一层所述栅极层且每层所述第一台阶的顶面暴露出所述栅极层;所述第二台阶结构包括多层第二台阶,每层所述第二台阶包括一层所述栅极层且每层所述第二台阶的顶面暴露出所述栅极层。
4.根据权利要求3所述的三维存储器,其特征在于,所述三维存储器还包括:
存储阵列结构,设置在所述第二层叠结构的核心区及所述第一层叠结构中与所述第二层叠结构的核心区对应的区域中,包括多个存储单元。
5.根据权利要求3或4所述的三维存储器,其特征在于,所述三维存储器还包括覆盖介质层,所述覆盖介质层覆盖所述第一台阶结构、第二层叠结构的核心区及第二台阶结构。
6.根据权利要求5所述的三维存储器,其特征在于,所述三维存储器还包括:
第一导电插塞,设置在所述覆盖介质层中且与一层所述第一台阶中的栅极层接触;
第二导电插塞,设置在所述覆盖介质层中且与一层所述第二台阶中的栅极层接触。
7.一种三维存储器的制作方法,其特征在于,包括步骤:
提供衬底;
在所述衬底上形成第一层叠结构,所述第一层叠结构在第一方向上依次包括台阶区及堆叠区;
在所述第一层叠结构的台阶区上形成第一台阶结构;
在所述第一层叠结构的堆叠区上形成第二层叠结构,所述第二层叠结构在所述第一方向上依次包括核心区及台阶区;
在所述第二层叠结构的台阶区上形成第二台阶结构;
其中,所述第一方向是平行于所述衬底表面的方向,所述第一台阶结构仅设置在所述第一层叠结构的一侧,所述第二台阶结构仅设置在所述第二层叠结构远离所述第一台阶结构的一侧。
8.根据权利要求7所述的三维存储器的制作方法,其特征在于,在所述衬底上形成所述第一层叠结构的步骤包括:
在所述衬底上形成多层交替层叠的介质层和伪栅极层;
刻蚀去除所述伪栅极层,在对应位置形成栅极层,得到所述第一层叠结构。
9.根据权利要求8所述的三维存储器的制作方法,其特征在于,在所述第一层叠结构的台阶区上形成所述第一台阶结构的步骤包括:
对所述第一层叠结构的台阶区进行分步刻蚀,得到多层第一台阶,每层所述第一台阶包括一层所述栅极层且每层所述第一台阶的顶面暴露出所述栅极层。
10.根据权利要求9所述的三维存储器的制作方法,其特征在于,在所述第一层叠结构的堆叠区上形成所述第二层叠结构步骤包括:
在所述第一层叠结构上形成下层覆盖介质层,所述下层覆盖介质层覆盖所述第一台阶结构及所述第一层叠结构的堆叠区;
在所述第一层叠结构的堆叠区上形成多层交替层叠的所述介质层和所述伪栅极层;
刻蚀去除所述伪栅极层,在对应位置形成栅极层,得到所述第二层叠结构。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的