[发明专利]一种添加耦合剂的TiC增强铜基复合材料的制备方法

说明书

本发明公开的一种添加耦合剂的TiC增强铜基复合材料的制备方法，通过磁控溅射制得钛涂覆的碳化钛粉末；然后，采用球磨、压坯及烧结，制得碳化钛增强铜基复合材料，并经过时效处理，获得复合增强的铜基复合材料。本发明方法制得的碳化钛颗粒增强铜基复合材料，经处理后形成TiC及Cu₄Ti复合增强效果，增强体与铜基体的界面结合强度高，在保障一定导电性的同时硬度、强度、耐磨性及耐腐蚀性有了明显的提高。

技术领域

本发明属于材料制造技术领域，具体涉及一种添加耦合剂的TiC增强铜基复合材料的制备方法。

背景技术

铜基复合材料因其具有的高导电性、高导热性、高抗熔焊性、耐腐蚀性，能保持低而稳定的接触电阻等性能，被广泛应用于电力、国防及车辆构件等多个领域。由于铜基复合材料较低的强度、硬度及耐磨性，在应用过程中受到了限制。应此，在保持高导电性、高导热性的基础上，研究开发具有高的强度、硬度及耐磨性，同时具有一定的耐腐蚀性，性价比高、性能均衡可靠的铜基复合材料具有非常重要的意义。

其中颗粒增强铜基复合材料的研究开发由于工艺简单、增强效果明显得到了广泛的应用，目前采用的增强体主要有碳化硅、碳化钛、碳化硼、碳化钨、氧化铝、氮化硅、硼化钛、氮化硼及石墨等增强体。其中碳化钛由于较高的硬度、熔点及化学稳定性，同时具有一定的导热性和导电性，在制备铜基复合材料中有着积极的应用前景。

现有公知的制备碳化钛增强铜基复合材料的技术有：1)《一种自生碳化钛增强铜基复合材料及其制备方法》(申请号CN201910525771.5，公开号CN110129607A，公开日2019.08.16)；2)专利《碳化钛.二硼化钛双相增强铜基复合材料及其制备方法》(申请号CN201710657353.2，公开号CN107586987B，公开日2019.06.18)；3)《一种原位合成硼化钛.碳化钛复相陶瓷增强铜基复合材料及其制备方法和应用》(申请号CN201711397493.7，公开号CN108118178A，公开日2018.06.05)；4)专利《碳化钛#二硼化钛双相增强铜基复合材料及其制备方法》(申请号CN201710657353.2，公开号CN107586987A，公开日2018.01.16)；5)《一种碳化钛陶瓷颗粒增强铜基复合材料的制备方法》(申请号CN201710098004.1，公开号CN106756177A，公开日2017.05.31)；6)专利《碳化钛/铜基复合材料的制备方法》(申请号CN201610979908.0，公开号CN106521223A，公开日2017.03.22)；7)专利《一种高强度碳化钛颗粒增强铜基复合材料及其制备方法》(申请号CN201510728060.X，公开号CN105256170A，公开日2016.01.20)；8)《一种高强度碳化钛铜基复合材料及其制备方法》(申请号CN201510727764.5，公开号CN105177348A，公开日2015.12.23)；9)专利《一种颗粒增强铜基复合材料》(专利号CN201110202692.4，公开号CN102888522A，公开日2013.01.23)；10)专利《一种制备碳化钛弥散强化铜基复合材料的方法》(专利号CN200910095170.1，公开号CN101709397A，公开日2010.05.19)；11)专利《碳化钛弥散强化铜基复合材料的自蔓延高温合成制备方法》(专利号CN200910095173.5，公开号CN101709398A，公开日2010.05.19)；12)《一种制备碳化钛弥散强化铜基复合材料的方法》(申请号CN200910095170.1，公开号CN101709397A，公开日2010.05.19)。13)《碳化钛弥散强化铜基复合材料的自蔓延高温合成制备方法》(申请号CN200910095173.5，公开号CN101709398A，公开日2010.05.19)。14)《一种原位生成碳化钛弥散强化铜基复合材料及其制备方法》(申请号CN200510045649.6，公开号CN1804077，公开日2006.07.19)。