[发明专利]一种硅片激光打标方法

说明书

本发明提供一种硅片激光打标方法，包括以下步骤，设定打标内容；扫描硅片，确定硅片的位置和数量；确定打标位置及打标图形；进行打标。本发明的有益效果是用于对大直径具有V槽和参考面的硅片进行打标，在硅片表面形成永久文字，不易模糊脱落，硅片表面洁净，便于进入后道工序。

技术领域

本发明属于硅片生产技术领域，尤其是涉及一种硅片激光打标方法。

背景技术

目前太阳能电池制造过程中，包含有多个工序，如硅片清洗、制绒、扩散、打标等。现有技术中，传统的打标方式方法容易出现碎片率高、对硅片的污染大、且自动化效率低等问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明要解决的问题是提供一种硅片激光打标方法，用于对大直径具有V槽和参考面的硅片进行打标，在硅片表面形成永久文字，不易模糊脱落，且采用激光打标，不会对硅片造成碎片，且不会产生杂质，硅片表面洁净，便于进入后道工序。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种硅片激光打标方法，包括以下步骤，

设定打标内容；

扫描硅片，确定硅片的位置和数量；

确定打标位置及打标图形；

进行打标。

进一步的，激光器的脉冲数为7-11，打标深度为78-80μm。

进一步的，打标位置为硅片的边缘处，且与硅片的边缘处的距离小于6mm。

进一步的，进行打标步骤中，打标角度为-3°～-7°。

进一步的，进行打标的步骤中，以硅片的V槽为参考面进行打标。

进一步的，打标角度以硅片中心点与V槽连线为参考线。

进一步的，打标图形中设定单字符的高度和间距，单字符的高度为 1.599-1.624mm，单字符的间距为1.395-1.445mm。

进一步的，设定打标内容步骤中，包括手动设定打标内容或自动设定打标内容。

进一步的，手动设定打标内容为手动选择打标内容并进行设定。

进一步的，自动设定打标内容包括以下步骤：

读码器扫描片篮篮号；

将片篮篮号信息传送给控制系统，确定单晶信息；

确定打标内容并进行设定。

由于采用上述技术方案，采用激光发生器对硅片进行打标，且在打标之前，能够确定花篮及硅片信息，能够在硅片表面形成永久的文字标记，便于对硅片生产过程进行追溯，同时，也便于获取硅片的属性；采用激光打标，使得硅片表面材料瞬间熔融、气化，不会在引入其他杂质，保证硅片表面的清洁度，且在打标过程中，不会在硅片打标面施加外力，避免硅片破损，降低硅片碎片率，自动化程度高。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。

本发明的一实施例涉及一种硅片激光打标方法，用于对12寸以上的大直径具有V槽和参考面的硅片进行打标，应用激光打标设备对硅片打标面进行打标，在硅片表面形成永久的文字标记，便于通过此识别码对硅片的生产过程中进行追溯，同时便于通过扫描或读取的形式获取硅片的属性。

该激光打标的基本原理是：由激光发生器生成高能量的连续激光光束，聚焦后的激光作用于承印材料，使表面材料瞬间熔融，甚至气化，通过控制激光在材料表面的路径，从而形成需要的图文标记。激光打标是非接触加工，可在任何异型表面标刻，工件不会变形和产生内应力，适用于对硅片进行打标，且不会对硅片造成损伤，图文标记不会模糊或丢失。