[发明专利]电子包络检测电路和对应的解调器

权利要求书

1.一种电子包络检测电路，包括：

输入信号检测电路，具有至少一个MOS晶体管，所述至少一个MOS晶体管具有控制端子，所述至少一个MOS晶体管被配置为接收射频输入信号并且响应于所述输入信号而生成内部信号，其中所述至少一个MOS晶体管具有偏置点，并且其中所述偏置点由所述输入信号和控制信号控制；以及

处理电路，具有被配置为接收由所述输入信号检测电路生成的所述内部信号的输入，并且被配置为响应于所述内部信号而生成低频输出信号，其中所述处理电路还被配置为响应于所述低频输出信号而生成所述控制信号；

其中响应于所述输入信号的平均功率的增加，所述控制信号的值减小，并且响应于所述输入信号的平均功率的减小，所述控制信号的值增加。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入信号检测电路包括：

第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，其中所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的漏极被共同耦合以输出所述内部信号；以及

变压器，包括：输入绕组，被配置为接收所述输入信号；第一输出绕组，被耦合以接收所述控制信号，并且还被耦合到所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的栅极；以及第二输出绕组，被耦合到所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的源极。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一输出绕组包括位于所述第一输出绕组的中间并且被配置为接收所述控制信号的第一中心节点，并且所述第二输出绕组包括位于所述第二输出绕组的中间并且被耦合到基准电源节点的第二中心节点。

4.根据权利要求2所述的电路，其中所述第一输出绕组的匝数大于所述输入绕组的匝数并且大于所述第二输出绕组的匝数。

5.根据权利要求2所述的电路，其中所述处理电路包括：

输出晶体管，具有被耦合以接收所述内部信号的控制端子，并且具有被配置为输出所述低频输出信号的漏极；以及

电阻器-电容器电路，包括串联耦合在所述控制端子和基准电源节点之间的电阻器和电容器，所述电阻器-电容器电路被配置为生成所述控制信号。

6.根据权利要求5所述的电路，还包括：反馈晶体管，具有被配置为接收所述低频输出信号的控制端子，并且具有通过电阻器电路被耦合到所述输出晶体管的所述控制端子的漏极。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入信号检测电路包括：

MOS晶体管，具有被耦合以输出所述内部信号的漏极；以及

变压器，包括：输入绕组，被配置为接收所述输入信号，并且被耦合在所述MOS晶体管的源极与基准电压节点之间；以及输出绕组，被耦合在所述MOS晶体管的栅极与所述处理电路之间，并且被配置为接收所述控制信号。

8.根据权利要求7所述的电路，其中所述处理电路包括：

输出晶体管，具有被耦合以接收所述内部信号的控制端子，并且具有被配置为输出所述低频输出信号的漏极；以及

电阻器-电容器电路，包括串联耦合在所述控制端子和基准电源节点之间的电阻器和电容器，所述电阻器-电容器电路被配置为生成所述控制信号。

9.根据权利要求8所述的电路，还包括反馈晶体管，所述反馈晶体管具有被配置为接收所述低频输出信号的控制端子，并且具有通过电阻器电路被耦合到所述输出晶体管的所述控制端子的漏极。

10.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入信号检测电路包括：

第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，其中所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的漏极被共同耦合以输出所述内部信号，其中所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的源极被共同耦合到基准电压节点，并且其中所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的栅极被耦合以接收所述控制信号；

其中所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的所述栅极还被配置为在差分模式中接收所述输入信号。