[发明专利]半导体加工设备的加热系统及其控制方法

权利要求书

1.一种加热系统的控制方法，应用于半导加工设备中基座的加热控制，所述基座包括第一加热区域和第二加热区域，其特征在于，包括以下步骤：

S1、检测并获取对应所述第一加热区域的第一实测温度和对应所述第二加热区域的第二实测温度；

S2、根据所述第一实测温度、第二实测温度以及预设的对应所述第一加热区域的第一目标温度和对应所述第二加热区域的第二目标温度，确定当前所述第一加热区域和所述第二加热区域的温度差异参数；

S3、根据所述温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整所述第一加热区域和所述第二加热区域的加热模式。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，步骤S2具体包括：

根据以下公式对所述第一实测温度、所述第二实测温度、所述第一目标温度、所述第二目标温度进行耦合，确定所述温度差异参数；

∣△∣＝∣(TC Outer-TCInner)∣*Max{(K*T1/T2),(K*T2/T1)}

式中：∣△∣为温度差异参数；TC Outer为第一实测温度；TC Inner为第二实测温度；K为预设增益系数；T1为第一目标温度；T2为第二目标温度。

3.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述预设容忍区间参数包括：第一子参数、第二子参数和第三子参数；其中，

所述第一子参数小于所述第二子参数，所述第二子参数小于所述第三子参数。

4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第一子参数、所述第二子参数及所述第三子参数利用以下公式得到；

Ti＝Ta+λ；Tii＝Tb+λ；Tiii＝Tc+λ；

式中：Ti为第一子参数；Tii为第二子参数；Tiii为第三子参数；Ta为预设可容忍温差值；Tb为预设保温温差值；Tc为预设不可容忍温差值；λ为所述第一目标温度和所述第二目标温度的温度差异值。

5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，步骤S3具体包括：

当所述温度差异参数小于或等于所述第一子参数时，控制所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，控制所述第二加热区域以所述第二目标温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第一子参数，并且不超过所述第二子参数时，控制所述第一加热区域以所述第一目标温度为加热温度进行加热，并且控制所述第二加热区域以所述第二实测温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第二子参数，并且不超过所述第三子参数时，控制所述第一加热区域停止加热，并且控制所述第二加热区域以所述第二目标温度为加热温度进行加热；

当所述温度差异参数大于所述第三子参数时，控制第一加热区域及第二加热区域停止加热，并且进行报警。

6.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述第一加热区域和所述第二加热区为所述基座上同心设置的两个圆环区域，且所述第一加热区域为内环区域，所述第二加热区域为外环区域。

7.一种用于半导体加工设备的加热系统，采用如权利要求1-6任一项所述的控制方法，其特征在于，包括：检测模块、确定模块、控制模块和加热模块；其中，

所述检测模块用于检测并获取对应所述第一加热区域的第一实测温度和对应所述第二加热区域的第二实测温度；

所述确定模块用于根据所述第一实测温度、第二实测温度以及预设的对应所述第一加热区域的第一目标温度和对应所述第二加热区域的第二目标温度，确定当前所述第一加热区域和所述第二加热区域的温度差异参数；

所述控制模块用于根据所述温度差异参数与预设容忍区间参数的对应关系，调整所述加热模块对所述第一加热区域和所述第二加热区域的加热模式。