[发明专利]太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 202010033197.4 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111211227A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 孙盟杰;梁春军 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 黄晓军 |
地址: | 100044 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 方法 | ||
本发明提供了一种太阳能电池的制备方法。该方法包括:将ITO透明电极通过磁控溅射到平面玻璃上,使用光刻蚀的方法制成整片的ITO导电玻璃,ITO透明电极为倒U型结构,包括多条垂直平行排列的ITO薄膜条;在ITO导电玻璃上面贴上蒸镀掩膜版,移入真空环境蒸镀金属电极,金属电极包括多条垂直平行排列的蒸镀掩膜,蒸镀掩膜的中间部位为镂空部分。金属电极蒸镀完成后移除掩膜版,得到制作完成的太阳能电池器件。本发明增加了电池器件的电极的耐磨损性;通过测试夹触点不与金属电极接触,提高了电池器件的测试耐久度。通过玻璃盖板与封装材料进行非接触式封装,避免了封装过程中对电极的损伤以及封装材料对太阳能电池器件的腐蚀。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池的制备方法。
背景技术
金属卤化物钙钛矿被发现适合作为光伏材料仅有十年的时间。如今,钙钛矿太阳能电池已经发展到几乎和最好的传统硅基电池一样高效。在实验室制备钙钛矿太阳能电池器件的测试过程中,光电转换效率的测试是通过光源模拟器照射太阳能电池,利用源表进行实时测量。
现有技术中的钙钛矿太阳能电池的封装方案为:测试源表与样品电池之间通常使用鳄鱼夹直接连接,夹具直接接触金属电极。在进行实验室封装时,封装方案通常为接触式封装,封装材料通常为光固化树脂或AB胶,封装材料需要直接接触太阳能电池有效面积,并覆盖一部分金属电极。
上述现有技术中的钙钛矿太阳能电池的封装方案的缺点为:由于真空蒸镀的电极比较脆弱,测试夹具非常容易夹穿电极,造成器件短路;另外由于在进行实验室封装时,封装方案中封装材料直接接触电池活性区域,封装材料经常与钙钛矿电池的活性层发生反应从而破坏电池,而且操作难度较高,容易损伤金属电极。因此,上述现有技术中的钙钛矿太阳能电池的封装方案对设备要求高,对操作技术要求非常严格,不利于在实验室中制备高效稳定的电池器件。
发明内容
本发明的实施例提供了一种太阳能电池的制备方法,以克服现有技术的缺点。
为了实现上述目的,本发明采取了如下技术方案。
一种太阳能电池的制备方法,包括:
将ITO透明电极通过磁控溅射到平面玻璃上,使用光刻蚀的方法制成整片的ITO导电玻璃,所述ITO透明电极为倒U型结构,包括多条垂直平行排列的ITO薄膜条;
在所述ITO导电玻璃上制备载流子传输层,活性层以及修饰层后,在ITO导电玻璃上面贴上蒸镀掩膜版,移入真空环境蒸镀金属电极,所述金属电极包括多条垂直平行排列的蒸镀掩膜,蒸镀掩膜的中间部位为镂空部分;
金属电极蒸镀完成后移除掩膜版,得到制作完成的太阳能电池器件。
优选地,所述的方法还包括:
在对所述太阳能电池器件进行测试时,将基片作为电路板,将太阳能电池器件作为电路板上的元件,将测试夹具夹在电路板上,每个基片上设置四个太阳能电池器件,排列在基片中部ITO透明电极与金属电极的交叉点处,基片上设置有6条ITO薄膜;
将测试夹具夹在基片的下方,测试夹具的触点只与太阳能电池器件中的ITO透明电极接触,基片中间的4条ITO透明电极与金属电极相连,作为金属电极的延长线,分别是四个太阳能电池的阴极,左右两条ITO为透明电极,是四个太阳能电池的共用阳极。
优选地,所述的方法还包括:
在对所述太阳能电池器件进行封装时,使用AB胶作为封装材料,封装过程在氮气手套箱中完成,封装完成后,太阳能电池器件的有效面积与盖板玻璃之间为氮气,封装材料与钙钛矿太阳能电池的有效面积不直接接触,封装材料与金属电极也不直接接触。
优选地,所述的太阳能电池包括:钙钛矿太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择