[发明专利]一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺有效
| 申请号： | 202010033492.X | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111211042B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 武卫;张宏杰;孙晨光;刘建伟;由佰玲;刘园;常雪岩;谢艳;杨春雪;刘秒;裴坤羽;祝斌;刘姣龙;王彦君;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 边抛大 直径 硅片 表面 洁净 清洗 工艺 | ||
1.一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于：包括以下步骤，
对硅片进行碱溶液清洗，采用所述碱溶液对所述硅片进行超声清洗，清洗时间为250-350s，所述碱溶液温度为50-70℃，所述碱溶液为氨水与双氧水混合溶液，所述氨水与所述双氧水的体积比为1：2，所述氨水为质量分数44％-46％溶液，超声波输出功率为300-400W；
对所述硅片进行第一纯水清洗，去除硅片表面的碱溶液；
对所述硅片进行酸溶液清洗，清洗时间为250-350s，所述酸溶液温度为40-50℃，所述酸溶液为盐酸与所述双氧水溶液，所述盐酸与所述双氧水的体积比为1：2，所述盐酸为质量分数35％-38％溶液；
对所述硅片进行第二纯水清洗，去除硅片表面的酸溶液；
对所述硅片进行第三纯水清洗；
对所述硅片进行慢提拉、烘干，所述硅片慢提拉时间为30-90s，温度为40-50℃，所述烘干时间为50-110s 。
2.根据权利要求1所述的提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于：所述双氧水为质量分数30％-32％溶液。
3.根据权利要求1或2所述的提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于：所述对硅片进行第一纯水清洗中，清洗时间为250-350s。
4.根据权利要求3所述的提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于：所述对硅片进行第二纯水清洗中，清洗时间为230-330s。
5.根据权利要求1或2或4所述的提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，其特征在于：所述对硅片进行第三纯水清洗中，清洗时间为250-350s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司，未经天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010033492.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
