[发明专利]一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料及其制备方法在审
申请号: | 202010034117.7 | 申请日: | 2020-01-13 |
公开(公告)号: | CN111223622A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 姚青荣;王江;饶光辉;韦奇;黄伟超;周怀营 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 邹仕娟 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 dy 制备 钕铁硼 永磁 材料 及其 方法 | ||
本发明提供一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料及其制备方法,其中,该制备方法包括:在钕铁硼再生磁体样品的表面涂覆一层Dy元素粉末,在真空烧结炉内进行烧结,使Dy元素在Nd2Fe14B相晶界上扩散,最终形成壳层结构的钕铁硼永磁材料。本发明的Dy在钕铁硼晶界扩散合成性能更优异的永磁材料。钕铁硼再生磁体表面涂覆一层Dy元素粉末,在真空烧结炉内进行烧结,使Dy元素在Nd2Fe14B相晶界上扩散合成具有重稀土包裹Nd2Fe14B相的核‑壳结构的永磁体材料,可以显著提高钕铁硼再生磁体的矫顽力、磁能积、居里温度等优点。
技术领域
本发明涉及材料技术领域,尤其涉及一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料及其制备方法。
背景技术
自Park等人发现晶界扩散技术对钕铁硼矫顽力优异的改善效果以来,吸引了大量的专家学者开展钕铁硼重稀土晶界扩散技术研究。重稀土Dy、Tb元素具有高的各向异性场,传统工艺主要在熔炼过程添加,Dy、Tb元素均匀分布整个晶粒内部,其替代Nd后提高了磁体矫顽力,但是,由于Dy、Tb元素与铁为反铁磁耦合,部分替代Nd元素后反而降低了铁原子磁矩,从而造成剩磁下降的现象。
钕铁硼废料再生磁体结构成分较熔炼工艺生产的磁体要复杂,目前对于再生磁体晶界扩散的研究较少。因此,研究并掌握钕铁硼废料相配套的晶界扩散技术,对实现钕铁硼废料的高质量利用具有非常重要的意义。
发明内容
本发明的目的在于解决上述现有技术存在的缺陷,提供一种可以在基本不影响剩磁的情况下,显著提升钕铁硼再生磁体矫顽力的方法。
本发明是这样实现的:
一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料的制备方法,包括:
在钕铁硼再生磁体样品的表面涂覆一层Dy元素粉末,在真空烧结炉内进行烧结,使Dy元素在Nd2Fe14B相晶界上扩散,最终形成壳层结构的富含Dy钕铁硼磁体成品,(Nd,Re)2Fe14B,其中RE=Dy,Tb;
所述钕铁硼再生磁体样品为Nd2Fe14B相;其分子式的化学计量比为:Nd2、Fe14、B1;
所述钕铁硼永磁材料的主要成分是Nd2Fe14B化合物和少量团聚的富Nd相;所述钕铁硼再生磁体样品的百分比含量为:Nd2Fe14B化合物的含量在95-97%;富Nd相的含量在3-5%。
进一步地,如上所述的利用Dy制备的钕铁硼永磁材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)取钕铁硼再生磁体样品,将将样品加工成一定的规格,其中用取向方向为扩散方向;
(2)样品经表面处理后,烘干待用;
(3)以氟化镝DyF3作为扩散源,氟化镝沉淀物烘干后,与无水酒精按一定比例配成悬浮液,待用;
(4)将悬浮液涂覆在样品表面,涂覆量通过悬浊液的浓度和涂覆次数来进行微调,涂覆量为0.2~1.5wt%。
(5)涂覆好的样品放进真空烧结炉内进行保温烧结,使Dy元素在Nd2Fe14B相晶界上均匀扩散,Dy有效扩散量占整个磁体样品体积的0.32wt%。
进一步地,如上所述的利用Dy制备的钕铁硼永磁材料的制备方法,所述表面处理包括:酸洗、除油、除锈。
进一步地,如上所述的利用Dy制备的钕铁硼永磁材料的制备方法,所述步骤(4)中涂覆量为0.6wt%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010034117.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。