[发明专利]一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法在审
申请号: | 202010034480.9 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111223770A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 杨小天;沈兆伟;陆璐;岳廷峰;闫兴振;王超;赵春雷;迟耀丹;高晓红;朱慧超;杨帆;任伟;王艳杰;刘建文;王冶 | 申请(专利权)人: | 吉林建筑大学 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/283 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 周蕾 |
地址: | 130000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 边缘 整齐 光滑 图案 薄膜 电极 材料 生长 方法 | ||
1.一种边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法,其特征在于,该方法是采用3D打印方法与光刻技术结合生长边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料。
2.根据权利要求1所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
步骤1、在衬底上利用传统光刻技术光刻图案化电极结构;
步骤2、采用3D打印方法打印电极墨水并固化成膜;
步骤3、去胶后获得边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料。
3.根据权利要求2所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法,其特征在于,步骤1具体为:将衬底置于匀胶仪,在其上滴光刻胶,旋涂,软烘;接着将固化光刻胶的衬底用掩膜版遮盖,曝光,显影,获得图案化电极结构。
4.根据权利要求3所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法,其特征在于,匀胶仪的转速500r/min,转10s,然后升至2000r/min,转20s。
5.根据权利要求3所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法,其特征在于,软烘的温度为65-90℃,时间为5-30分钟。
6.根据权利要求3所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法,其特征在于,曝光的时间是15s。
7.根据权利要求3所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法,其特征在于,显影的时间为8s。
8.根据权利要求2所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法,其特征在于,步骤2具体为:利用3D打印设备,将电极墨水灌入针体,通过电脑屏幕观察移动针尖至接触衬底,设置相关参数,超声谐振打印覆盖电极墨水,打印区域无需精确对准,电极墨水层覆盖图案化电极区域便可,重复打印,直至打印至所需电极厚度。
9.根据权利要求8所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法,其特征在于,3D打印设备的参数设置为:打印速度为0.3-0.5mm/s,打印次数为2-3次,打印厚度为40-60nm。
10.根据权利要求2所述的边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料生长方法,其特征在于,步骤3具体为:采用丙酮溶剂剥离,除去光刻胶及其上打印并固化的电极墨水,即获得边缘整齐、光滑的图案化薄膜电极材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造