[发明专利]互电容接近传感器以及使用互电容接近传感器检测物体的方法在审
申请号: | 202010034484.7 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111722289A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 山本泰典 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | G01V3/00 | 分类号: | G01V3/00;G01V3/08 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 接近 传感器 以及 使用 检测 物体 方法 | ||
1.一种互电容接近传感器,其特征在于包括:
第一传感器板,所述第一传感器板包括能够与第二电极形成第一电场的第一电极;
第二传感器板,所述第二传感器板毗邻所述第一传感器板定位并且包括能够与第四电极形成第二电场的第三电极;其中所述第一电场的第一部分与所述第二电场的第二部分重叠;和
第五电极,所述第五电极毗邻所述第一传感器板和所述第二传感器板定位,其中所述第五电极被配置为改变以下项的分布:
所述第一电场的所述第一部分;和
所述第二电场的所述第二部分。
2.根据权利要求1所述的互电容接近传感器,其特征在于,所述第五电极具有介于零伏和供电电压的二分之一之间的电压电位。
3.根据权利要求1所述的互电容接近传感器,其特征在于,所述第五电极保持地电位。
4.根据权利要求1所述的互电容接近传感器,其特征在于,所述第一传感器板和所述第二传感器板形成在单个连续衬底的第一表面上。
5.根据权利要求4所述的互电容接近传感器,其特征在于,所述第五电极形成在所述单个连续衬底的所述第一表面上并且直接定位在所述第一传感器板和所述第二传感器板之间。
6.根据权利要求4所述的互电容接近传感器,其特征在于,所述第五电极形成在所述衬底的第二表面上,其中所述第二表面与所述第一表面相对并且平行。
7.根据权利要求1所述的互电容接近传感器,其特征在于,所述第一传感器板和所述第二传感器板以及所述第五电极各自形成在单独并且不同的衬底上。
8.一种使用互电容接近传感器检测物体的方法,其特征在于包括:
在第一电极和第二电极之间形成第一电场;
在第三电极和第四电极之间形成第二电场;
形成电场的重叠区域;
改变所述重叠区域中所述电场的分布;
测量所述第一电场中的变化;
测量所述第二电场中的变化;以及
基于在所述第一电场和所述第二电场中的至少一者中的所测量的变化来确定所述物体的存在。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,电场的所述重叠区域包括与所述第二电场的第二部分重叠的所述第一电场的第一部分。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,改变所述重叠区域中的所述电场包括在所述重叠区域中提供接地电极。
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